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Vishay推出業內最低導通電阻的-30 V P溝道MOSFET,可提高能效和功率密度

2020-08-20
來源:Vishay
關鍵詞: 柵極電荷 MOSFET

     20200817_SiRA99DP.jpg

      器件采用PowerPAK SO-8單體封裝,柵極電荷與導通電阻乘積優值系數達到同類產品最佳水平

  賓夕法尼亞、MALVERN -2020年8月17日 - 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,首度推出-30 V p溝道功率MOSFET---SiRA99DP ,10 V條件下導通電阻降至1.7 mW。Vishay Siliconix TrenchFET第四代SiRA99DP導通電阻達到業內最低水平,采用熱增強型6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK? SO-8單體封裝,專門用來提高功率密度。

  日前發布的MOSFET導通電阻比市場上排名第二的產品低43%,降低壓降并減小傳導損耗,從而實現更高功率密度。SiRA99DP超低柵極電荷僅為84 nC,柵極電荷與導通電阻乘積,即開關應用中MOSFET的重要優值系數 (FOM) 為185 mW*nC,達到同類產品最佳水平。

  器件是輸入電壓12 V電路的理想選擇,適用于適配器、電池和通用電源開關、反向極性電池保護、 OR-ing功能,以及電信設備、服務器、工業PC和機器人的電機驅動控制。SiRA99DP減少并聯器件數量,換句話說,加大單個器件電流,從而提高功率密度,節省這些應用的主板空間。此外,作為p溝道MOSFET,器件不需要電荷泵提供n溝道器件所需的正向柵壓。

  這款MOSFET經過RG和UIS測試,符合RoHS標準,無鹵素。

  SiRA99DP現可提供樣品并已實現量產,供貨周期為12周,視市場情況而定。

  VISHAY簡介

  Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富1000 強企業”,是全球分立半導體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)和無源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的最大制造商之一。這些元器件可用于工業、計算、汽車、消費、通信、國防、航空航天、電源及醫療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑借產品創新、成功的收購戰略,以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業界領先者。

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