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2021年NAND Flash市場競爭加劇

2020-04-22
來源:集邦咨詢
關鍵詞: 長江存儲 3DNAND

  根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查,中國NAND Flash廠商長江存儲(YMTC)已在第一季將128層3D NAND樣品送交存儲控制器廠商,目標第三季進入投片、年底前量產,擬用于UFS、SSD等各類終端產品,并同時出貨給模組廠。考量客戶導入時程,預估長江存儲新產品可能率先影響第四季Wafer市場合約價,并自2021年起對Client SSD、eMMC/UFS等市場供給產生實質貢獻,在供給增加的情況下,價格下跌的可能性也將提高。

  集邦咨詢表示,受到疫情影響,智能手機及筆記本電腦等終端需求將受到不小沖擊,并對NAND Flash主流供應商獲利能力造成影響,抑制未來持續擴產的幅度。相較之下,長江存儲目前在各類應用的市占規模仍小,因此受疫情影響較低。當前目標將著重于與OEM進行64層TLC的相關產品導入及提升良率,并趕在今年內送交128層產品樣品,將同時包含TLC以及QLC產品,以擴大客戶基礎。

  3D NAND堆棧難度漸增,有利長江存儲縮小差距

  隨著3D NAND Flash堆棧達到90層以上,主要供應商在更高層數蝕刻及堆棧技術的發展難度逐漸增加。觀察各供應商的技術路線圖,在1XX層的產品世代已有分歧:盡管三星(Samsung)、SK海力士(SK Hynix)已推出128層產品,但鎧俠/西數(Kioxia/WD)、美光(Micron)、英特爾(Intel)的112/128/144層產品要到下半年才會放量,相比前幾代3D NAND產品的發展進程來得更久,有利于長江存儲的128層產品迎頭趕上。

  除此之外,2019年NAND Flash的價格平均跌幅達46%,導致主要供應商陷入虧損,資本支出因而轉為保守,產出增長規劃亦創下歷史新低,這也讓長江存儲有了拉近差距的機會。

  2021年長江存儲產能預估占整體NAND Flash約8%

  身為新進供應商的長江存儲目前擁有武漢廠,今年目標是成都廠開始投產,并逐步完成武漢廠區剩余二座廠房的興建與擴產。除了擴張規劃積極,長江存儲也是國家大基金的重點扶植廠商,可以預期NAND Flash市場競爭將更為嚴峻,長期價格面臨持續走跌的壓力。

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