3月11日消息，美光宣布旗下第一款整合LPDDR5內(nèi)存和UFS 2．1閃存的uMCP多晶片封裝模組正式送樣，并且已經(jīng)將樣本送給合作伙伴，預(yù)計會給5G手機帶來更加省電、高效的存儲技術(shù)。
根據(jù)美光的資料顯示，uMCP是將內(nèi)存、存儲、控制器三個部分都封裝在一起，這樣的集成工藝可以減少芯片之間的傳輸距離，從而讓數(shù)據(jù)交換更加的高效，同時功耗也會進一步降低。另外集成工藝還有一個好處就是可以減少內(nèi)存的體積，據(jù)美光給出的數(shù)據(jù)，uMCP封裝的內(nèi)存體積可減小40％。
美光的uMCP是采用1ynm DRAM的LPDDR5內(nèi)存，以及512Gb 96層的3D NAND 顆粒再加上279球柵陣列封裝／ BGA ，支持雙通道LPDDR5，速度可達6，400MBps，最高可提供12GB RAM＋256GB ROM組合。
雖說美光的樣本采用的是UFS 2．1，但是不排除實際應(yīng)用在產(chǎn)品上的會是UFS 3．0，在手機內(nèi)部空間寸土寸金的今天，美光的這一解決方案可以為機身內(nèi)部節(jié)省許多空間，可以讓手機廠商有更多的選擇，例如增加電池容量等等。如果該方案順利的話，可能在今年我們就能看到內(nèi)存＋存儲一起封裝的手機了。
作者：NJNR103
本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當(dāng)措施，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。