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性價比一流:英飛凌推出面向低頻率應用的600 V CoolMOS? S7超結MOSFET

2020-03-03
來源:英飛凌
關鍵詞: 英飛凌 低頻率 MOSFET

  【2020年3月3日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)成功開發出滿足最高效率和質量要求的解決方案。對于MOSFET低頻率開關應用而言,新推出的600 V CoolMOS  S7系列產品可帶來領先的功率密度和能效。CoolMOS  S7系列產品的主要特點包括導通性能優化、熱阻改進以及高脈沖電流能力,并且具備最高質量標準。該器件適合的應用包括有源橋式整流器、逆變極、PLC、功率固態繼電器和固態斷路器等。此外,10 m CoolMOS  S7 MOSFET是業界RDS(on)最小的器件。

  該產品系列專為低頻率的開關應用而開發,旨在降低它們的導通損耗,確保響應速度最快和效率最高。CoolMOS  S7器件甚至實現了比CoolMOS  7產品更低的RDS(on) x A,因而能夠成功地抵消開關損耗,最終實現導通電阻降低和成本節省。對于高壓開關而言,CoolMOS  S7產品擁有市面上最低的導通電阻(RDS(on))。此外,10 mΩ芯片采用創新的頂面冷卻QDPAK封裝,22 mΩ芯片采用先進的小型TO無引腳(TOLL)SMD封裝。這些MOSFET可助力實現經濟、簡化、緊湊、模塊化和高效的設計。設計出來的系統可以輕松滿足法規要求和能效認證標準(如適用于SMPS的Titanium標準),也能滿足功率預算,減少零部件數量和散熱器需求,同時降低總擁有成本(TCO)。

供貨情況

  22 m 600 V CoolMOS  S7器件擁有TO無引腳封裝和TO-220封裝,40 m和65 m器件擁有TO無引腳封裝。10 m CoolMOS  S7 MOSFET將在2020年第四季度上市。

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