日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省7月1日宣布了數(shù)項(xiàng)針對(duì)韓國(guó)的貿(mào)易限制措施，一方面是將對(duì)數(shù)個(gè)對(duì)韓出口的半導(dǎo)體原材料實(shí)施限制，另外還開(kāi)始就是否將韓國(guó)從“出口貿(mào)易管制白名單”中剔除開(kāi)展公眾意見(jiàn)征求。

具體來(lái)看，從7月4日起，日本企業(yè)在向韓國(guó)出口Fluorine Polyimide（氟聚酰亞胺）和半導(dǎo)體生產(chǎn)時(shí)要用的Resist（光刻膠）和Eatching Gas（高純度半導(dǎo)體用氟化氫）三種原材料或相關(guān)技術(shù)時(shí)，必須每單單獨(dú)申請(qǐng)?jiān)S可，獲批流程長(zhǎng)達(dá)90天，而此前可以獲得成批出口的許可。

上述新限制對(duì)于韓國(guó)的相關(guān)制造商來(lái)說(shuō)打擊是巨大的，因?yàn)槿毡驹谶@些原材料供應(yīng)端幾乎是一家獨(dú)大。據(jù)日本《產(chǎn)經(jīng)新聞》報(bào)道，前兩種原材料全球9成的生產(chǎn)來(lái)自于日本，第三種也達(dá)到了7成。

對(duì)于這場(chǎng)貿(mào)易爭(zhēng)端，韓國(guó)擺出了長(zhǎng)期“抗戰(zhàn)”的姿態(tài)。7月10日，韓國(guó)總統(tǒng)文在寅召集了包含三星、LG、現(xiàn)代汽車(chē)、SK、樂(lè)天等30家韓國(guó)大型企業(yè)總裁在青瓦臺(tái)開(kāi)會(huì)，會(huì)上作出了建立“官民應(yīng)急機(jī)制”、制定長(zhǎng)短期對(duì)策等決定。

此時(shí)，日本對(duì)韓國(guó)半導(dǎo)體關(guān)鍵材料突然實(shí)施出口管制措施的舉動(dòng)，已經(jīng)在韓國(guó)社會(huì)完全發(fā)酵。抵制日貨的潮流全方位擴(kuò)散，多達(dá)上百種日本產(chǎn)品被列進(jìn)了抵制名單。

這場(chǎng)愈演愈烈的貿(mào)易戰(zhàn)不僅使日韓關(guān)系惡化，還會(huì)沖擊到全球供應(yīng)鏈及東南亞地緣政治格局。日本之所以能夠通過(guò)材料出口限制制裁韓國(guó)，是韓國(guó)半導(dǎo)體關(guān)鍵材料對(duì)日的嚴(yán)重依賴(lài)給予了日本發(fā)動(dòng)貿(mào)易戰(zhàn)的底氣和資本。而我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展同樣存在類(lèi)似的痛點(diǎn)，因此必須提高警惕，防患于未然。

●我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)短板明顯，短期內(nèi)難以擺脫日本壟斷

半導(dǎo)體作為尖端技術(shù)和高附加值產(chǎn)業(yè)已逐步發(fā)展成全球經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)的支柱型產(chǎn)業(yè)。其產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)址睆?fù)，環(huán)環(huán)相扣，上游關(guān)鍵材料與高端設(shè)備直接影響下游應(yīng)用的競(jìng)爭(zhēng)力。我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)因在原材料和制造設(shè)備方面嚴(yán)重依賴(lài)進(jìn)口，在產(chǎn)業(yè)發(fā)展中存在很多薄弱點(diǎn)，缺乏對(duì)核心關(guān)鍵環(huán)節(jié)的把控。

從材料角度來(lái)看，硅晶圓、光掩模、光刻膠及各種氣體是半導(dǎo)體晶圓制造成本中占比最高的幾種材料。其中，硅晶圓材料在半導(dǎo)體制造中占比最大，僅日本信越、勝高兩大巨頭就瓜分了全球市場(chǎng)份額的一半。我國(guó)雖已有國(guó)內(nèi)企業(yè)在大尺寸硅晶圓領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)零突破，但自給能力遠(yuǎn)遠(yuǎn)滿(mǎn)足不了巨大的市場(chǎng)需求。

光刻工藝是決定芯片制程水平和性能水平的重要環(huán)節(jié)，光掩模和光刻膠是光刻工藝的核心材料，這兩種材料的全球頂尖技術(shù)都受到日本掌控和封鎖。此次韓國(guó)重點(diǎn)受限的EUV（極紫外）光刻膠是當(dāng)前國(guó)際最高水平的產(chǎn)品，以日本JSR（日本合成橡膠）的技術(shù)最為見(jiàn)長(zhǎng)。我國(guó)目前的技術(shù)水平與之相差幾代，產(chǎn)業(yè)上也遠(yuǎn)沒(méi)有達(dá)到如此高端的產(chǎn)品需求，國(guó)內(nèi)高端光刻膠產(chǎn)品的自主供應(yīng)量不足30％。光掩模的國(guó)產(chǎn)化情況同樣不樂(lè)觀(guān)，國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商僅能滿(mǎn)足中低檔產(chǎn)品市場(chǎng)需求，高端產(chǎn)品難以擺脫進(jìn)口現(xiàn)狀，技術(shù)方面與國(guó)外先進(jìn)水平存在較大差距。

高純氟化氫氣體是半導(dǎo)體刻蝕環(huán)節(jié)廣泛應(yīng)用的材料，芯片級(jí)氟化氫對(duì)金屬離子含量要求極為苛刻。國(guó)內(nèi)集成電路企業(yè)生產(chǎn)所需多由日本進(jìn)口，國(guó)內(nèi)尚無(wú)企業(yè)實(shí)現(xiàn)規(guī)?；a(chǎn)供應(yīng)，僅浙江凱圣進(jìn)入產(chǎn)品測(cè)試驗(yàn)證階段，真正實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代還需時(shí)日。

此外，配套設(shè)備方面，盡管?chē)?guó)內(nèi)企業(yè)在PECVD、氧化爐、拋光機(jī)等產(chǎn)品方面取得突破性成果，對(duì)比日本在清洗、涂布顯影、刻蝕、研磨及測(cè)試設(shè)備等產(chǎn)品上建立的全面優(yōu)勢(shì)，我國(guó)仍處于明顯的劣勢(shì)。

整體來(lái)看，我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)存在諸多短板，多種關(guān)鍵原材料和設(shè)備受到日本制約。在日韓貿(mào)易戰(zhàn)的沖擊波中，我們看到了國(guó)有品牌可以走得更遠(yuǎn)的機(jī)會(huì)，但更多地促使我們反思我國(guó)在半導(dǎo)體及顯示領(lǐng)域內(nèi)的站位和發(fā)展情況。為避免日韓貿(mào)易戰(zhàn)“悲劇”在我國(guó)重演，亟需通過(guò)提高核心材料及設(shè)備的國(guó)產(chǎn)率，減輕中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)日本的依賴(lài)度。