5月8日，據中央社報道，由于液態(tài)氮外包廠商施工失誤，導致延遲出貨影響，半導體磊晶廠英特磊4月營收為4800萬元(新臺幣，下同)，較上個月減少23.8%，也較去年同期減少0.9%。累計1至4月營收2.29億元，年減4.27%。
英特磊表示，4月營收受到影響主要是因液態(tài)氮承包廠商施工疏失，導致分子束磊晶(MBE)設備延遲出貨，預估此次延遲出貨可在1至2個月內補回，后續(xù)賠償損失將交由保險公司處理。
現行化合物半導體商用磊晶制程技術，大致可分成MOCVD(有機金屬氣相沉積法)和MBE(分子束磊晶技術)。若以成長技術而論，MOCVD的成長條件由氣相方法進行，透過氫氣或氮氣等特定載氣引導，使三族和五族氣體均勻混合后，再導入反應腔體中，接著透過適當的反應溫度(400～800度)，讓氣體裂解并成長于基板上。MBE成長條件則透過元素加熱方式，借由超高真空環(huán)境的腔體，將所需磊晶元素加熱升華形成分子束，當分子束接觸基板后，就可形成所需磊晶結構。
而英特磊這兩樣制程技術都可做，并采用MBE技術從事砷化鎵(GaAs)、銻化鎵(GaSb)、磷化銦(InP)化鎵等三五族化合物半導體磊晶(Epi)的生產，擁有從基板到磊晶的垂直整合技術能力。
磊晶可提供無線通訊、衛(wèi)星通訊、光纖通訊5G等商用，甚至是太空與國防上的紅外線感測、夜視、攝影等產品應用，受惠5G基礎建設布建，以及車用化合物芯片的需求將逐步增加，這也為磊晶市場δ來增加成長動能。
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