根據供應鏈消息，中芯國際是中國最大的晶圓代工廠，目前擁有最新的14納米FinFET工藝，接近完成研發(fā)。其試生產的產量已經可以達到95％。因此，從2019年開始批量生產的目標似乎并不遙遠。

　　據了解，根據中芯國際最新財務報告，中芯國際最先進的工藝目前為28納米。不過，根據2018年第一季度的財務報告，28納米僅占其收入的3.2％。與聯電，英特爾等較慢的先進工藝制造商相比，落后的一個世代以上，更不用說先進技術。臺積電，格羅方德，三星等在工藝開發(fā)方面取得快速進展的公司已準備好進入落后三代以上的7納米制程。

　　為了趕上這一差距，中芯國際不僅將在2017年底擔任三星電子和臺積電前高管梁孟松的聯席首席執(zhí)行官職務，而且主要希望以他過去的經驗來指導中芯國際在開發(fā)14nm FinFET。此過程的進展將使中芯國際的14納米FinFET工藝在2019年達到其量產目標。它還將在2018年初宣布將共同投資102.4億美元與兩大政府產業(yè)基金加速14納米。以下先進的工藝研發(fā)和批量生產計劃最終實現了每月35,000片的產量。如今，中芯國際的14納米FinFET工藝達到了95％的良率，這相當于邁向目標的一大步。

　　事實上，隨著28-nm Poly / SiON工藝技術的成功大規(guī)模生產以及2018年2月采用28-nm High-K / Metal Gate（HKMG）工藝技術成功試制產品，試生產產量為高達98.在完成％后，與中國臺灣鑄造廠有著密切合作關系的廈門聯信在28nm節(jié)點上快速成熟。這種消息是針對目前代表中國大陸代工廠商領導者的中芯國際，因為28nm HKMG工藝產量并沒有如預期的那樣好，過去14nm FinFET工藝不可能被打破，幾乎可以放棄鑄造廠的地位在大陸的領導者。今天，14納米FinFET工藝技術取得突破性進展，矢量生產目標向前邁出了一步，中芯國際能夠保持領先地位。

　　此外，除了內部和核心競爭外，中芯國際在14納米FinFET工藝上的突破也象征著與國際一級晶圓代工廠商的距離更近。除了臺積電，Globod和三星正積極部署7納米工藝，產品將于2018年底前出現，其中包括聯電和英特爾仍處于14納米節(jié)點。特別是，英特爾有望在2019年之后使用14納米制程。在這方面，一旦中芯國際的14納米FinFET工藝在未來正式投入批量生產，中芯國際的產品有可能會在大陸市場生產，目前產品已經運往海外原始設備制造商。中芯國際將獲得更多利潤，但對于其他競爭對手而言，這可能不是太好消息。

　　據業(yè)內人士透露，雖然過去有大量資金，但他們計劃從Grooved購買技術來加強SMIC 14nm FinFET工藝。然而，這一次，梁孟松等人領導的團隊似乎在進一步拉動中芯國際的14納米制造工藝方面發(fā)揮了作用。但有消息人士指出，這件事不能由梁孟松獨自處理，而是梁孟松過去與臺灣和韓國有關人員的努力的結果。因此，中心國際線已經達到了14納米的成功研發(fā)階段。在下一階段，它必須看到14納米工藝能給公司帶來多大的收益。