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聯電稱與英特爾合作開發的12nm FinFET制程技術明年通過驗證
發表于:4/28/2025 11:33:00 AM
臺積電歐洲首座晶圓廠將在德國動工
發表于:8/19/2024 9:21:17 AM
Agile Analog宣布已成功在格芯兩大工藝上提供可定制的模擬IP
發表于:7/26/2024 8:30:00 AM
Dolphin Design宣布首款支持12納米FinFet技術的硅片成功流片
發表于:2/22/2024 8:49:00 PM
新思科技攜手是德科技、Ansys推出先進 N4P工藝全新參考流程
發表于:10/30/2023 4:22:55 PM
10Gbps!全球最強LPDDR5/5X IP成功量產
發表于:6/23/2022 9:36:23 PM
5nm及更先進節點上FinFET的未來:使用工藝和電路仿真來預測下一代半導體的性能
發表于:5/5/2022 11:03:00 PM
Arasan宣布為格芯12nm FinFET工藝節點提供MIPI D-PHY(SM) IP
發表于:3/9/2022 8:17:21 PM
英特爾展示多項技術突破,推動摩爾定律超越2025
發表于:12/13/2021 9:27:52 PM
三星推新工藝,將FinFET帶到28nm,首攻CIS堆疊?
發表于:10/8/2021 9:47:21 AM
Nerissa Draeger博士:全包圍柵極結構將取代FinFET
發表于:1/25/2021 8:33:00 PM
FinFET器件結構發展綜述
發表于:1/14/2021 9:23:00 AM
臺積電3納米今年試產!與5nm、7nm 100% IP 兼容!
發表于:1/7/2021 12:43:17 PM
IP全國產邁出關鍵一步,TSMC FinFET N+1芯片問市
發表于:10/12/2020 10:49:24 PM
臺積電2nm工藝獲重大突破!
發表于:9/23/2020 3:14:23 PM
FinFET壽終正寢!臺積電2nm GAA工藝結束路徑探索階段
發表于:9/23/2020 6:27:30 AM
臺積電的GAA-FET什么時候到來?
發表于:8/27/2020 1:24:15 PM
中國臺灣:臺積電2nm大突破
發表于:7/14/2020 7:54:00 AM
英特爾5nm制程電晶體面臨瓶頸,或棄用 FinFET專用GAA環繞柵極電晶體?
發表于:3/16/2020 4:20:24 PM
先不上GAA晶體管 臺積電第一代3nm工藝將繼續用FinFET技術
發表于:3/8/2020 6:00:00 AM
英特爾原總裁推動力ARM架構服務器CPU,Ampere勝算幾何
發表于:3/5/2020 8:56:19 PM
格芯成功研發22FDX技術,能讓英特爾、三星等行業巨頭研究多年的eMRAM究竟有何魅力?
發表于:2/28/2020 7:04:09 PM
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3nm、5nm制程:復雜且昂貴的爭奪戰(一)
發表于:2/6/2020 4:49:22 PM
中芯國際發布一季度財報 FinFET研發進展順利
發表于:5/9/2019 2:46:24 PM
英特爾3D封裝技術深度解讀
發表于:1/24/2019 8:22:24 PM
格芯全資子公司Avera Semi正式成立
發表于:11/1/2018 9:32:22 AM
臺積電宣布其7納米制程進入量產 并透露了5納米節點的首個時間表
發表于:11/1/2018 2:17:42 AM
一張中國半導體工藝發展史上值得紀念的照片
發表于:8/15/2018 4:20:00 PM
中芯國際:14納米FinFET制程已進入客戶導入階段
發表于:8/15/2018 4:14:12 PM
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