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納微半導體將在中國臺灣的電源設計技術論壇活動上 展示GaN功率IC帶來的革新性效能

GaN集成技術可實現下一代充電速度更快、更小、更輕的電力系統
2018-02-01

 納微 (Navitas)半導體宣布其現場應用及技術營銷總監黃萬年將在2018年1月30日于中國臺北舉辦的“2018前瞻電源設計與功率組件技術論壇”上發表“利用氮化鎵(GaN)功率IC實現下一代電源適配器設計”的主題演講。他將分享如何利用業內首個及唯一的氮化鎵(GaN)功率IC在各種電力系統中顯著提高速度、效率和密度的嶄新見解。納微是這項活動的銀級贊助商,該活動為具有創新性的制造商、合作伙伴及客戶提供了一個交互論壇,以交流加速采用新型氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)器件的專業知識。

 黃萬年表示:“在四十多年來一直采用慢速且低效的硅組件之后,現時電力電子產業正進入一個令人興奮的新材料、新器件、新磁學、新控制器及富有想象力的拓樸的新時代。納微非常期待展示如何在氮化鎵組件中實現功率、驅動和邏輯的單片化集成,為智能手機、膝上型計算機、消費產品、電視和新能源應用提供新一代高效、高密度的充電器及適配器。”

 該論壇將于2018年1月30日下午1:00至5:10于臺北科技大學億光大樓二樓集思北科大會議中心舉行,此活動詳情請參見網頁http://www.mem.com.tw/meeting_arti.php?sn=1712190001。

如果想參加該論壇,請發送電郵至info@navitassemi.com,或是致電聯絡+1 ThinkGaNIC (+1 844-654-2642)。

關于納微

 納微(Navitas)半導體公司是世界上第一家也是唯一的 GaN 功率IC 公司, 于 2013 年在美國加利福尼亞州 El Segundo 成立。納微擁有強大且不斷增長的功率半導體行業專家團隊,在材料、器件、 應用程序、系統和營銷及創新成功記錄的領域內,合共擁有超過200年的經驗;此外,其多位創始人也合共擁有超過200項專利。該公司專有的 AllGaN? 工藝設計套件將最高性能的 GaN FET 與邏輯和模擬電路單片集成。納微GaN 功率IC為移動、消費、企業和新能源市場提供更小、更高能效和更低成本的電源。 納微擁有或正在申請的專利超過 30項。

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