《電子技術(shù)應(yīng)用》
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最快trr性能的600V超級(jí)結(jié)MOSFET 成新標(biāo)桿

有助于變頻空調(diào)等電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用顯著節(jié)能
2017-08-10
作者:于寅虎
來(lái)源:電子技術(shù)應(yīng)用
關(guān)鍵詞: ROHM MOSFET R60xxMNx APF

近年來(lái),節(jié)能化趨勢(shì)日益加速,隨著日本節(jié)能法的修訂,家電產(chǎn)品傾向于采用更接近實(shí)際使用情況的能效標(biāo)識(shí)APF(全年使用家用空調(diào)時(shí)的能效比),不再僅僅關(guān)注功率負(fù)載較大的設(shè)備啟動(dòng)時(shí)和額定條件下的節(jié)能,要求負(fù)載較小的正常運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)更節(jié)能的趨勢(shì)日益高漲。據(jù)稱(chēng),在全球的電力需求中,近50%被用于驅(qū)動(dòng)電機(jī),隨著空調(diào)在新興國(guó)家的普及,全球的電力局勢(shì)逐年嚴(yán)峻。

在這種背景下,ROHM開(kāi)發(fā)出PrestoMOS,非常適用于要求低功耗化的空調(diào)等白色家電和工業(yè)設(shè)備等的電機(jī)驅(qū)動(dòng),可大大降低應(yīng)用正常運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的功耗,滿足了社會(huì)的節(jié)能需求。

   日前,ROHM宣布推出高速trr(反向恢復(fù)時(shí)間)型600V 超級(jí)結(jié)MOSFET PrestoMOS產(chǎn)品群又新增“R60xxMNx系列”,非常適用于要求低功耗化的白色家電及工業(yè)設(shè)備等的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。PrestoMOS是擁有業(yè)界最快trr性能的功率MOSFET,以業(yè)界最小的開(kāi)關(guān)損耗著稱(chēng)。因使搭載變頻器的白色家電的功耗更低而獲得高度好評(píng)。

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羅姆半導(dǎo)體(上海)有限公司設(shè)計(jì)中心高級(jí)經(jīng)理水原德健先生

據(jù)羅姆半導(dǎo)體(上海)有限公司設(shè)計(jì)中心高級(jí)經(jīng)理水原德健先生介紹,此次開(kāi)發(fā)的“R60xxMNx系列”通過(guò)優(yōu)化ROHM獨(dú)有的芯片結(jié)構(gòu),在保持PrestoMOS“高速trr性能”特征的基礎(chǔ)上,還成功地使Ron(導(dǎo)通電阻)和Qg(柵極輸入電荷量)顯著降低。由此,在變頻空調(diào)等電機(jī)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中,輕負(fù)載時(shí)的功率損耗與以往的IGBT相比,降低約56%,節(jié)能效果非常明顯。

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不僅如此,“R60xxMNx系列”利用ROHM多年積累的模擬技術(shù)優(yōu)勢(shì),還實(shí)現(xiàn)了超強(qiáng)的短路耐受能力,減輕了因電路誤動(dòng)作等導(dǎo)致的異常發(fā)熱帶來(lái)的破壞風(fēng)險(xiǎn),有助于提高應(yīng)用的可靠性。

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據(jù)了解,相比傳統(tǒng)的MOS管,R60xxMNx系列產(chǎn)品具備三大特征。

第一、業(yè)界最快的trr性能、低Ron、低Qg,有助于應(yīng)用節(jié)能

一般MOSFET具有高速開(kāi)關(guān)和低電流范圍的傳導(dǎo)損耗低的優(yōu)點(diǎn),設(shè)備正常運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)可有效降低功耗。“R60xxMNx系列”利用ROHM獨(dú)有的Lifetime控制技術(shù),不僅保持了業(yè)界最快trr性能,而且Ron和Qg更低,非常有助于變頻電路的節(jié)能。

第二、超強(qiáng)短路耐受能力,確保可靠性

通常,一旦發(fā)生短路,即具有電路誤動(dòng)作、流過(guò)超出設(shè)計(jì)值的大電流、引起異常發(fā)熱、甚至元件受損的可能性。一直以來(lái),因性能與短路之間的制約關(guān)系,確保超強(qiáng)的短路耐受能力是非常困難的,而“R60xxMNx系列”利用ROHM的模擬技術(shù)優(yōu)勢(shì),對(duì)熱失控的成因---寄生雙極晶體管成功地進(jìn)行了優(yōu)化,可確保電機(jī)驅(qū)動(dòng)所必須的短路耐受能力,有助于提高應(yīng)用的可靠性。 

第三、自導(dǎo)通損耗微小

自導(dǎo)通是指MOSFET在關(guān)斷狀態(tài)下,高邊主開(kāi)關(guān)一旦導(dǎo)通,則低邊MOSFET的漏極-源極間電壓急劇增加,電壓被柵極感應(yīng),柵極電壓上升,MOSFET誤動(dòng)作。該現(xiàn)象使MOSFET內(nèi)部產(chǎn)生自身功率損耗。而“R60xxMNx系列”通過(guò)優(yōu)化寄生電容,可將該損耗控制在非常微小的最低范圍內(nèi)。

附:最新R60xxMNx系列產(chǎn)品陣容                          

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