【2017 年 7 月 12 日美國德州普拉諾訊】Diodes 公司所推出的 SDT 蕭特基二極管系列，使用先進的深槽工藝，提供出色效能，且成本比平面型蕭特基二極管相近甚至更低。初始的 29 個裝置系列產(chǎn)品，采用熱效率封裝，提供阻流、自由轉輪、返馳與其他二極管功能，適合廣泛的產(chǎn)品應用，例如 AC-DC 充電器/轉接器、DC-DC 上/下轉換及 AC LED 照明。
Diodes 公司的創(chuàng)新深槽工藝，使 SDT 蕭特基二極管系列可達到最低 0.62V 的順向電壓 (VF)，及 3.5?A 的漏電流。如此優(yōu)異的效能，造就杰出的功率效率，使終端系統(tǒng)設計采用更為精巧的外型。此系列產(chǎn)品中，提供 5A 至 40A 的最大平均整流電流額定，峰值重復反向電壓 (VRRM) 最高達 120V，順向突波電流 (IFSM) 最高達 280A，確保完整溫度范圍內擁有可靠的系統(tǒng)運作。
PowerDI?5、TO220AB 及 ITO220AB 封裝選項，都能提供絕佳的熱能轉移特性，使 SDT 蕭特基二極管系列能在嚴苛的應用中進行可靠運作。這些封裝極為適合大量制造，SDP 零件可做為直接替換零件，取代一般平面型蕭特基二極管。
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