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EUV光刻工藝可用到2030年的1.5nm節點

2017-01-22
關鍵詞: EUV 制程

半導體制造工藝進入10nm之后,難度越來越大,Intel為此多次調整了產品策略,10nm工藝的產品推遲到今年底,以致于很多人認為摩爾定律將死。推動科技進步的半導體技術真的會停滯不前嗎?這也不太可能,7nm工藝節點將開始應用EUV光刻工藝,研發EUV光刻機的ASML表示EUV工藝將會支持未來15年,部分客戶已經在討論2030年的1.5nm工藝路線圖了。

此前的報道中我們也解釋了半導體芯片制造過程中,光刻是非常關鍵的一步,決定了芯片的技術水平。目前使用的是沉浸式光刻工藝,未來則是EUV(即紫外光刻)工藝。不過EUV工藝研發實在太難了,早在2006年業界就開始聯合研發EUV工藝,直到10年后的今天,EUV光刻機才開始小批量生產,荷蘭ASML公司日前在財報中提到去年底他們售出6臺EUV光刻機,總數達到了18臺,總價值超過20億歐元。

今年半導體公司將升級到10nm節點,不過還是用不上EUV工藝,ASML表示在2018年底到2019年初的7nm工藝節點上,EUV工藝才會正式啟用,那時候傳統的沉浸式光刻工藝也會遭遇極限。

現在半導體公司提到的新一代制程工藝除了7nm之外,還有5nm、3nm,那么更遠的未來呢?ASML公司CEO Peter Wennink在接受采訪時表示EUV工藝不僅能降低7nm、5nm的成本,他們還看的更遠,可支撐未來15年,也就是考慮2030年前后的工藝了,ASML表示已經有客戶在討論未來的1.5nm工藝路線圖了。

如ASML所說,EUV工藝未來也會升級,現在的EUV工藝數值孔徑還是0.33,可用兩三代工藝,不過去年他們宣布20億美元入股卡爾蔡司子公司SMT,雙方將合作開發0.5孔徑的EUV工藝,還可以再支撐兩三代工藝,不過這樣的EUV光刻機要等到2024年才能問世。


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