賓夕法尼亞、MALVERN — 2016 年 9 月2 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，將多個(gè)Vishay Siliconix模擬開(kāi)關(guān)產(chǎn)品升級(jí)到了新工藝，大幅提升了器件性能和壽命。這種新工藝能夠替代漸趨過(guò)時(shí)的硅技術(shù)，全面提高器件的性能參數(shù)，并且保證未來(lái)有很好的使用壽命。Vishay的模擬開(kāi)關(guān)和復(fù)用器產(chǎn)品線始于二十世紀(jì)60年代，這次工藝升級(jí)表明Vishay將繼續(xù)支持這些產(chǎn)品。

　　Vishay Siliconix新發(fā)布的增強(qiáng)型模擬開(kāi)關(guān)和復(fù)用器在高密度18V工藝上進(jìn)行設(shè)計(jì)。這種工藝不但能讓使用Vishay現(xiàn)有的12V系列產(chǎn)品的客戶順利過(guò)渡到新產(chǎn)品，而且使Vishay開(kāi)發(fā)出更復(fù)雜，用于靈敏的模擬設(shè)計(jì)的新型精密模擬產(chǎn)品。

　　器件性能指標(biāo)的重要改進(jìn)包括：工作電壓從12V提高到16V；更低的泄漏，減少了寄生電容，開(kāi)關(guān)速度更快；更加耐用，具有更高的閂鎖電流和ESD保護(hù)。例如，新的DG9408E和DG9409E可以直接替換常用的DG9408和DG9409，開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻比后者低20%，開(kāi)關(guān)速度高10%，寄生電容低35%，閂鎖能力高達(dá)400A，保證實(shí)現(xiàn)2.5kV(人體模型)的ESD保護(hù)。

　　Vishay功率IC部的副總裁Roy Shoshani表示：“這些新產(chǎn)品是采用新工藝的一系列創(chuàng)新模擬器件的首批產(chǎn)品。我相信，采用這些新產(chǎn)品的客戶會(huì)發(fā)現(xiàn)，他們的精密模擬電路的性能會(huì)得到了有效提高。我們的客戶正在為工業(yè)、儀表和醫(yī)療保健等要求長(zhǎng)產(chǎn)品壽命的應(yīng)用做設(shè)計(jì)，這個(gè)新工藝平臺(tái)能夠支持客戶實(shí)現(xiàn)他們的設(shè)計(jì)，同時(shí)實(shí)現(xiàn)更好的性能和耐用性。另外，改進(jìn)后的生產(chǎn)流程將縮短供貨周期，使產(chǎn)品供貨更加及時(shí)可靠。”

　　增強(qiáng)型模擬開(kāi)關(guān)產(chǎn)品現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為十周。