《電子技術(shù)應(yīng)用》
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28納米FD-SOI制程嵌入式存儲(chǔ)器即將問(wèn)世

2016-08-01
關(guān)鍵詞: 晶圓 FD-SOI 28奈米 快閃記憶體

       SamsungFoundry準(zhǔn)備開(kāi)始以28奈米FD-SOI制程,提供SST-MRAM以及快閃記憶體嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項(xiàng)。

  三星晶圓代工業(yè)務(wù)(SamsungFoundry)準(zhǔn)備開(kāi)始以28奈米FD-SOI制程,提供SST-MRAM(spintorquetransfermagneticRAM)以及快閃記憶體,做為嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項(xiàng)。

  SamsungFoundry行銷(xiāo)暨業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)負(fù)責(zé)人KelvinLow在接受EETimes歐洲版訪問(wèn)時(shí)表示,該公司的技術(shù)藍(lán)圖顯示,28奈米 FD-SOI嵌入式非揮發(fā)性記憶體將分兩階段發(fā)展,首先是在2017年底進(jìn)行嵌入式快閃記憶體(eFlash)的風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn) (riskproduction),嵌入式MRAM(eMRAM)的風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)則安排在2018年底。

  不過(guò)Low也指出:「我們雖然會(huì)同時(shí)提供eFlash與eMRAM(STT-MRAM)技術(shù)選項(xiàng),但預(yù)期市場(chǎng)需求會(huì)導(dǎo)致最后只剩下一種嵌入式非揮發(fā)性記憶體方案。」

  風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)指的是晶圓代工廠客戶運(yùn)作其完整電路、并不測(cè)試結(jié)構(gòu),但仍有可能改變制程與設(shè)計(jì),以最佳化晶片性能以及改善良率;而因?yàn)橹瞥踢€未最后確 定,這類(lèi)生產(chǎn)對(duì)客戶來(lái)說(shuō)必須負(fù)擔(dān)風(fēng)險(xiǎn),因此被稱為風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)。此生產(chǎn)階段可能會(huì)持續(xù)數(shù)個(gè)月時(shí)間,而正式提供eFlash與eMRAM量產(chǎn)的時(shí)程,分別會(huì)在 2018與2019年。

  MARM這種非揮發(fā)性記憶體技術(shù)已經(jīng)發(fā)展多年,最近才有業(yè)者EverspinTechnologies提供單獨(dú)的MRAM晶片;三星在2011年收購(gòu)了MRAM技術(shù)新創(chuàng)公司Grandis。

  要提供28奈米嵌入式非揮發(fā)性記憶體得克服許多挑戰(zhàn),產(chǎn)業(yè)界公認(rèn)將快閃記憶體微縮至28奈米節(jié)點(diǎn)并不實(shí)際,但MRAM、相變化記憶體(PCM) 以及電阻式記憶體(ReRAM)等其他技術(shù)選項(xiàng)仍不成熟。28奈米節(jié)點(diǎn)eFlash的問(wèn)題包括耐久性以及功耗,而通常SoC設(shè)計(jì)會(huì)選擇以較不積極的節(jié)點(diǎn)來(lái) 制作嵌入式快閃記憶體電路、放棄微縮。

  這也可能是三星先推eFlash技術(shù),但預(yù)期客戶會(huì)在長(zhǎng)期使用STT-MRAM;MRAM在長(zhǎng)期看來(lái)會(huì)是較受歡迎的技術(shù),因?yàn)榕cCMOS融合的簡(jiǎn)易性以及其電壓架構(gòu),能以最少三層額外光罩就能被整合,而eFlash則通常需要6~8層額外光罩。

  MRAM通常是以平面內(nèi)(in-plane)方式制作,不過(guò)也有選項(xiàng)是將磁性層垂直布置以進(jìn)一步縮小面積;不過(guò)Low表示,三星不方便透露其eMRAM的制作技術(shù)細(xì)節(jié)。

  不過(guò)三星在2016年6月于美國(guó)德州奧斯汀舉行的設(shè)計(jì)自動(dòng)化大會(huì)(DAC)上,確實(shí)展示了以28奈米HKMG塊狀CMOS制程生產(chǎn)的獨(dú)立MRAM;Low表示:「我們的團(tuán)隊(duì)正在研究將此成果轉(zhuǎn)移至28奈米FD-SOI制程。」

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