GreenBridge 提供的熱性能、效率和尺寸優(yōu)勢都要優(yōu)于 POE PD 中使用的二極管

　　加利福尼亞桑尼維爾 – 2016 年7月 26日 — 高性能半導體解決方案全球領先供應商 Fairchild (NASDAQ: FCS) 今天發(fā)布了FDMQ8205，這增強了其業(yè)界領先的 GreenBridge? 4顆MOSFET有源橋技術。FDMQ8205是其 GreenBridge 新一代產品系列中第一款產品，適合于通過POE供電的應用，諸如安全攝像機、無線接入點、LED 照明和其他用電設備 (PD)。 通過利用 GreenBridge 方案提供的業(yè)界最佳 Rdson 性能、極小的尺寸和卓越的熱性能，設計人員能夠降低設備的工作溫度、提高效率并減少解決方案的尺寸。

　　先進的GreenBridge技術符合IEEE 802.3at標準，比肖特基二極管的功耗小90%。這種卓越的熱性能讓設計者能夠減小甚至不使用散熱器，以便簡化產品設計，降低BOM成本，縮小電路板尺寸。

　　Fairchild 智能功率FET 事業(yè)部副總裁 Suman Narayan 表示： “對于熱的處理一直都是一個重大的設計挑戰(zhàn)，對于新一代功率高達甚至超過25.5W的IoT設備更是如此。我們的 GreenBridge 采用最新的MOSFET技術，幫助工程師消除過多的熱，實現(xiàn)關鍵系統(tǒng)設計目標，包括更高的效率，確保符合標準，降低整體尺寸和降低成本 ?！?/p>

　　新一代GreenBridge 系列產品極低的導通損耗是另一個重要優(yōu)勢，因為POE 系統(tǒng)的輸入功率有限，需要最大化功率和電壓。GreenBridge 系列具有業(yè)界最佳的 Rdson 性能，由于其采用優(yōu)化的 PowerTrench MOSFET 技術，提供更佳的功率轉換效率，其導通損耗比最接近的競爭產品也要低 47%。

　　GreenBridge 器件的小尺寸也使得它們非常適合新一代基于POE設備，它們尺寸比以前的基于POE設備更小。在僅為 4.5 mm x 5 mm 的 MLP 封裝中，GreenBridge 器件 包含四個以全橋方式連接的 MOSFET。除了尺寸小，GreenBridge器件還不需要外部驅動，因此節(jié)省了更多 PCB 空間。

　　供貨情況

　　新的FDMQ8205 產品目前已量產。閱 GreenBridge 博客并訪問 fairchildsemi.com.cn/greenbridge，了解更詳細的產品信息、評估板和樣品。