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Vishay的新款600V和650V E系列MOSFET提高了可靠性并減小封裝電感

MOSFET節省空間,可替代TO-252(DPAK)封裝的器件,適用于照明、計算和消費應用
2016-07-18

  賓夕法尼亞、MALVERN — 2016 年 7 月15 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出3顆采用小尺寸PowerPAK? SO-8L封裝的N溝道器件---SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E,擴充其600V和650V E系列功率MOSFET。Vishay Siliconix 600V SiHJ8N60E和650V SiHJ6N65E、SiHJ7N65E更省空間,可替代TO-252(DPAK)封裝的MOSFET,具有高可靠性和小封裝電感,可用于照明、工業、電信、計算和消費應用。

  今天推出的MOSFET由Vishay Siliconix設計和開發,表面貼裝PowerPAK SO-8L封裝完全符合RoHS,無鹵素,無鉛。SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E的尺寸為5mm x 6mm,占板空間和高度只有TO-252(DPAK)封裝器件的一半。而且,與無引線DFN封裝的MOSFET相比,在整機設備的使用壽命內碰到溫度循環情況時,PowerPAK SO-8L的鷗翼引線結構能有效提高板級的可靠性。

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  SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E使用Vishay最新的高能效E系列超級結技術制造,在10V下的最大導通電阻只有0.52Ω,柵極電荷低至17nC,導通電阻與柵極電荷乘積更低,該參數是評價功率轉換應用中MOSFET的優值系數。在功率因數校正、反激、雙管正激轉換器,以及HID和LED照明、工業、電信、消費和計算類應用的電源適配器等硬開關拓撲中,這些參數意味著MOSFET能實現極低的傳導和開關損耗,有效節約能源。

  MOSFET可承受雪崩和換相模式中的高能脈沖,保證限值通過100%的UIS測試。

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