《電子技術(shù)應(yīng)用》
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磁電雙穩(wěn)態(tài)材料倍增儲(chǔ)存容量

2016-07-15

  北海道大學(xué)的科學(xué)家開發(fā)出一種可利用磁、電訊號(hào)的元件,能為USB隨身碟等傳統(tǒng)記憶體元件提供2倍的儲(chǔ)存容量。

  資訊儲(chǔ)存的方法一般分為兩種類型:電能或磁性。然而,如果找到一種材料分別具有電性與磁性的雙穩(wěn)態(tài)特性,就有可能讓相同體積的儲(chǔ)存容量增加一倍。

  日本北海道大學(xué)(Hokkaido University)研究所的科學(xué)家們展示了鍶鈷氧化物(SrCoO x)材料的兩種形式:一種是絕緣非磁體,另一種是金屬磁體。藉由改變電化學(xué)氧化/還原的氧含量,就能切換這種材料的磁化狀態(tài)。

  為此,研究小組開發(fā)出一種可在室溫空氣中安全使用鍶鈷氧化物的方法,它不至于讓鹼性溶液泄漏出來。這種方法只要在氧化鍶鈷層上施加鉭鈉薄膜即可。當(dāng)3V電流施加在絕緣的SrCoO 2.5形式時(shí),即可在3秒內(nèi)逆向切換至其金屬磁體形式SrCoO 3。

  研究人員表示,只要讓元件變得更小,就能大幅縮短這種化合物在絕緣體與磁鐵之間切換的時(shí)間。


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