全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild (NASDAQ: FCS) 今日宣布其650 V 溝槽型場截止 IGBT應(yīng)用于古瑞瓦特新能源公司最新一代光伏逆變器中，該公司是家用和商用逆變器的頂級制造商。由于使用了 Fairchild 的 IGBT，古瑞瓦特將其新型 5K-HF 逆變器的功率密度與以前型號相比提高了 20%。

　　古瑞瓦特副總裁兼研發(fā)總監(jiān)吳良材表示：“我們的新一代太陽能逆變器在業(yè)界率先采用 Fairchild 的TO247 4L 封裝 IGBT，通過使用 IGBT 晶圓和 4L 封裝工藝新技術(shù)，我們能夠通過大幅提高驅(qū)動信號的開關(guān)頻率，充分利用 IGBT 的特性，從而獲得卓越的安全工作區(qū)，而且不會顯著增加半導(dǎo)體的損耗。此外，我們還可以使用更小的磁性元件，從而顯著減小系統(tǒng)尺寸并增強(qiáng)性價(jià)比。”

　　Fairchild 高功率工業(yè)事業(yè)部副總裁趙進(jìn)說：“古瑞瓦特這樣的業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)者在其超高效率的下一代光伏逆變器中采用我們的 650V 場截止溝道IGBT，這為我們的 IGBT 特性和功能樹立了好的榜樣，這些 IGBT 采用 Fairchild 的創(chuàng)新型場截止技術(shù)，為要求較低導(dǎo)通和開關(guān)損耗的光伏逆變器、UPS、電焊機(jī)、通信、ESS 和 PFC 應(yīng)用提供最優(yōu)性能。”

　　古瑞瓦特總裁丁永強(qiáng)表示：“提高逆變器的效率和功率密度是古瑞瓦特研發(fā)人員一直以來的目標(biāo)。半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步顯著減少了我們的逆變器所需的金屬部件的比例，這會導(dǎo)致多種好處，包括較小的產(chǎn)品尺寸、較輕的重量、更低的成本，和更方便的運(yùn)輸和存儲。我們會基于這次成功繼續(xù)進(jìn)步，并繼續(xù)在我們的光伏逆變器開發(fā)中采用先進(jìn)技術(shù)，從而為客戶提供更多價(jià)值以及更佳的效率和功率密度。我們采用更高的開關(guān)頻率開發(fā)了新的 5K-HF 逆變器，這是一個更優(yōu)的布局，使用新的磁性材料，提供業(yè)界領(lǐng)先的效率，功率密度提高了 20% 以上。Fairchild 的 650V 溝槽型場截止 IGBT 采用的新 IGBT 技術(shù)和創(chuàng)新型封裝，幫助我們實(shí)現(xiàn)了這些。