根據賽迪顧問提供數據，2014年中國存儲芯片市場規模達到2465.5億元，占國內芯片市場比重的23.7%，其比重超過CPU、手機基帶芯片。
中國存儲芯片產業基本空白，幾乎100%依賴進口。三星、美光、東芝、海力士等企業壟斷的存儲器市場高達800億美元，而中國每年進口的存儲芯片就達600億美元。
對此，我國臺灣企業威剛科技董事長陳立白的觀點頗有代表性。“2014年中國大陸DRAM消耗量已達102億美元，約占全球市場的20%;NANDFlash消耗量也接近全球市場的25%。”陳立白說，“以這個數據來看，任何一個政府都會自己做。”
相對于整個半導體產業來說，過去幾年存儲器產業的發展顯得更為搶眼。根據Gartner的統計，由于供應不足及價格持續穩定，2014年DRAM銷售額實現31.7%的增長，突破460億美元，超過1995年創下的記錄，創歷史新高。
從全球半導體企業營收排名中，也可以看出存儲器的重要性。在2014年的榜單中，壟斷存儲器市場的三星電子、美光、SK海力士分別排在第二、第四和第五的位置，其中DRAM分別占到美光、SK海力士總營收的七成和八成左右。
從市場份額來看，2015年第三季度全球DRAM市場最新統計數據顯示，三星電子、SK海力士、美光的市場占有率分別是47%、28%和19%，合計達到驚人的94%。如果以廠商所在地區來計算的話，韓國企業占據了七成以上的市場，美國企業占兩成，我國臺灣企業約占5%左右。
在這樣的高度壟斷下，我國大陸的存儲器產業是一片空白，幾乎100%依賴進口。賽迪顧問的數據顯示，2014年中國存儲芯片市場規模達到2465.5億元，超過CPU、手機基帶芯片。芯謀研究的相關報告中也指出，三星電子、美光、東芝、SK海力士等企業壟斷的存儲器市場高達800億美元，而中國每年進口的存儲芯片就達到600億美元。
實際上，在2014年6月國務院印發《國家集成電路產業發展推進綱要》后，國內企業在芯片領域的大手筆布局就層出不窮，但直到今年年中為止，存儲器領域一直未有斬獲。
捷報從7月1日起才開始傳來，武岳峰資本力挫賽普拉斯購得芯成半導體，進入DRAM領域。隨后，傳出武漢新芯將募資250億美元打造國家級存儲芯器產業基地的消息。近日，紫光集團更是通過對西部數據股份的收購間接入股了閃迪。
我國臺灣曾經用300億美元買教訓
“主流存儲器，不管是DRAM還是NAND，拼的都是先進工藝和規模。美、韓、日之前都是走的這條路。”賽迪智庫集成電路產業研究所所長霍雨濤在接受《中國電子報》記者采訪時表示，“我國臺灣走的則是利基型存儲器路線，基本上都是別人淘汰后不做的產品。”
“我國臺灣地區在半導體產業發展上，應該說總體是成功的。”業內專家莫大康告訴《中國電子報》記者，“但是即便投入了300億美元，其存儲器之夢也未能實現。”
莫大康表示，上世紀80年代日本追趕美國，以及90年代韓國追趕日本，都是以存儲器作為突破口。原因是存儲器市場巨大、設計技術相對簡單且易于擴大市場份額等。韓國就是在6英寸晶圓廠過渡到8英寸晶圓廠的世代交替時，以9座8英寸晶圓廠的產能優勢，一舉取代日本廠商躍居全球DRAM產業的第一。
我國臺灣地區試圖以同樣的方法，希望在8英寸過渡到12英寸晶圓廠的世代交替時，以擁有全球最多的12英寸晶圓廠來取勝。根據此理念，臺灣從2004年開始加速存儲器方面的投資，5年內總投資高達300億美元以上，擁有了20條12英寸晶圓生產線，位列全球第一，大大超出同期三星的投資。但是最終，臺灣并未因12英寸晶圓生產線多而取得勝利，韓國的三星電子及SK海力士仍雄居全球存儲器第一與第二位，臺灣只得宣布放棄存儲器追趕策略，轉而固守陣地。
“臺灣在存儲器領域的失敗自然有其多方面原因，但存儲器產業的確需要的投資太多，專利壟斷太過激烈，風險也太大。”莫大康表示，“在激烈的競爭中，原來的幾十家企業現在只剩下三家主流企業，多年來再無新企業進入，中國企業想靠砸錢進去實在是太難了。”
對此，我國臺灣的存儲器雙雄華亞科、南亞科也指出，我國大陸雖然資金寬裕，但欠缺關鍵技術。華亞科總經理梅國勛表示，DRAM產業依賴資金、人才與技術，而目前技術都掌握在三星、SK海力士和美光手上，大陸如果從零開始，至少得花五到十年。不過，南亞科相關負責人也提出，若三大企業同意授權，在各方面給予技術支持，那么三年后也許就能得到很大發展。
做好長期大規模投入并虧損的心理準備
綜合各方面觀點來看，發展存儲器產業，有三條路擺在我們面前：自主研發、國際并購和兩岸合作。
臺灣半導體協會理事長盧超群向《中國電子報》記者建議，兩岸存儲產業應發揮各自特點，實現優勢互補，加強企業間的合作，而不是單純地進行市場購買行為。
不過，有專家指出，兩岸合作解決不了我國大陸存儲器產業發展的根本性的技術問題，從臺灣過去的發展歷程和經驗來看，其核心技術來源于歐美的授權，所以只能做落后產品和利基型市場。
從自主研發的布局來看，中國科學院微電子研究所所長葉甜春在接受《中國電子報》記者采訪時表示，布局閃存還是存在機會的，特別是先進存儲技術，如三維閃存技術等。具體途徑上，可以采取研究院所與企業聯合創新的模式。
據悉，在該領域，武漢新芯已在今年2月份與飛索半導體達成合作，將聯手開發和生產三維閃存技術和產品，首款合作產品預計將于2017年問世。
從國際并購的角度來考慮，霍雨濤認為，長期來看，還是要瞄向三星電子、SK海力士、美光這些廠商，或者合作，或者收購，而且同步的自主研發必不可少的。RAM從SDR、DDR、DDR2、DDR3發展到目前主流的DDR4，NAND也從SLC、MLC發展到目前的TLC，技術演進速度很快，投資也很大。至于我國具體的發展路徑，需要詳細分析技術來源的可獲得性，再看切入點。
無論朝哪個方向走，發展存儲器產業注定沒有捷徑，“彎道超車”希望渺茫。“存儲器和CPU一樣，是芯片領域的最大細分市場，同樣也是芯片領域的戰略制高點，所以一定是正面主戰場，靠游擊戰是不行的。”霍雨濤強調，“做存儲器產業，就要做好長期大規模投入、大規模虧損的心理準備，板凳要坐十年冷，就像京東方之前投平板顯示一樣。
如果說國家層面有了十年不賺錢的準備，那后面的執行層面就好說了。缺錢投錢，缺人找人，缺技術找技術，一直瞄準戰略方向和目標持續投入。”
“實際上，相對于需要軟件支持的CPU而言，發展存儲器產業的難度可能還小一些。”莫大康認為，“但是這么大的投入，這么高的風險，無論是企業層面還是國家層面，這個決心都很難下。”他建議慎重起見，從中小型項目開始投資，慢慢發展，慢慢跟上。