全球第2大NAND型快閃存儲器廠商東芝近日發(fā)布新聞稿宣布，為加快次世代半導(dǎo)體露光技術(shù)“納米壓印技術(shù)”的研發(fā)腳步，已和南韓半導(dǎo)體大廠SK海力士正式簽署契約，雙方技術(shù)人員將自2015年4月起透過東芝橫濱事業(yè)所攜手研發(fā)NIL制程的關(guān)鍵技術(shù)，目標(biāo)為在2017年實用化。
東芝于去年12月和SK海力士就NAND Flash侵權(quán)案一事達成和解，海力士除同意支付東芝2.78億美元（約330億日圓）和解金外，雙方當(dāng)時也宣布將攜手研發(fā)被稱為“納米壓印”的次世代半導(dǎo)體露光技術(shù)。
據(jù)日經(jīng)新聞指出，東芝已于2014年開始量產(chǎn)全球最先端的15nm NAND Flash產(chǎn)品，而就現(xiàn)行技術(shù)來看，15nm被視為是存儲器電路線幅細微化的極限，而東芝期望借由研發(fā)NIL技術(shù)、突破細微化極限，讓已逼近極限的電路線幅能進一步細微化，以借此提高產(chǎn)品性能及成本競爭力。
日經(jīng)指出，東芝目前已和Canon攜手研發(fā)NIL制造設(shè)備，而東芝和SK海力士于NIL制程技術(shù)的研發(fā)成果也將回饋至制造設(shè)備的研發(fā)上。
本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當(dāng)措施，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。