全球第2大NAND型快閃存儲器 （Flash Memory）廠商東芝 （ Toshiba ）5日發布新聞稿宣布，為加快次世代半導體露光技術「納米壓印技術（Nano-imprint Lithography；NIL）」的研發腳步，已和南韓半導體大廠SK 海力士 （SK Hynix ）正式簽署契約，雙方技術人員將自2015年4月起透過東芝橫濱事業所攜手研發NIL制程的關鍵技術，目標為在2017年實用化。
東芝于去年12月和SK海力士（SK Hynix）就NAND Flash侵權案一事達成和解，海力士（Hynix）除同意支付東芝2.78億美元（約330億日圓）和解金外，雙方當時也宣布將攜手研發被稱為「納米壓?。∟anoimprint）」的次世代半導體露光技術。
據日經新聞指出，東芝已于2014年開始量產全球最先端的15nm NAND Flash產品，而就現行技術來看，15nm被視為是存儲器電路線幅細微化的極限，而東芝期望借由研發NIL技術、突破細微化極限，讓已逼近極限的電路線幅能進一步細微化，以借此提高產品性能及成本競爭力。
日經指出，東芝目前已和Canon攜手研發NIL制造設備，而東芝和SK 海力士（SK Hynix）于NIL制程技術的研發成果也將回饋至制造設備的研發上。
另據日刊工業新聞指出，東芝期望藉由NIF技術的實用化來降低3D NAND Flash的成本。
本站內容除特別聲明的原創文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。