第11屆中國國際半導體博覽會暨高峰論壇(簡稱2013 ICC)將于2013年11月13-15日在上海新國際博覽中心隆重開幕。屆時,臺灣聯華電子有限公司將亮相展會。
新任執行長顏執強調,“我們第二季的營收成長超越傳統季節性的表現,隨著時序進入第三季,我們預期營收將持續成長。中期來看,為了維持本公司在先進特殊制程領域的領導地位,聯電研發團隊會持續加速量產并強化技術改良,以充分滿足客戶產品規劃上的需求。聯電涵蓋廣泛的制程技術讓客戶得以在不同產業區隔,皆能差異化其產品,這也可促使我們能進一步擴展業務范疇,強化整體競爭力進而提升長期獲利能力。”
公司大樓
公司簡介
聯華電子身為半導體晶圓專工業界的領導者,提供先進制程與晶圓制造服務,為IC產業各項主要應用產品生產晶片。聯電完整的解決方案能讓晶片設計公司利用尖端制程的優勢,包括28奈米Poly-SiON技術、High-K/Metal Gate后閘極技術、混合信號/RFCMOS技術,以及其他涵蓋廣泛的特殊制程技術。聯電現共有十座晶圓廠,其中包含位于臺灣的Fab 12A與新加坡的Fab 12i等兩座12吋廠。Fab 12A廠第一至四期目前生產最先進至28奈米的客戶產品,第五、六期已在興建階段,第七、八期則已在規劃當中。聯電在全球約有超過15,000名員工,在臺灣、日本、韓國、中國、新加坡、歐洲及美國均設有服務據點,以滿足全球客戶的需求。
全景圖
業界的領導者
聯電成立于1980年,為臺灣第一家半導體公司,引領了臺灣半導體業的發展,是臺灣第一家提供晶圓專工服務的公司,也是臺灣第一家上市的半導體公司(1985年)。聯電以策略創新見長,首創員工分紅入股制度,此制度已被公認為引領臺灣電子產業快速成功發展的主因。聯電同時也透過MyUMC線上服務,讓客戶能在線上取得完整的供應鏈資訊,此服務于1998年上線,亦為業界首創。
聯華電子身為半導體晶圓專工業界的領導者,提供先進制程與晶圓制造服務,為IC產業各項主要應用產品生產晶片。聯電完整的解決方案能讓晶片設計公司利用尖端制程的優勢,包括28奈米Poly-SiON技術、High-K/Metal Gate后閘極技術、混合信號/RFCMOS技術,以及其他涵蓋廣泛的特殊制程技術。聯電現共有十座晶圓廠,其中包含位于臺灣的Fab 12A與新加坡的Fab 12i等兩座12吋廠。Fab 12A廠第一至四期目前生產最先進至28奈米的客戶產品,第五、六期已在興建階段,第七、八期則已在規劃當中。聯電在全球約有超過15,000名員工,在臺灣、日本、韓國、中國、新加坡、歐洲及美國均設有服務據點,以滿足全球客戶的需求。
全方位的服務
純晶圓專工業務為聯電的核心服務,除了透過先進的研發能力提供尖端技術外,同時也提供優異的制造能力,包括28奈米制造能力,以及位于臺灣與新加坡兩座12吋晶圓廠。此外,聯電采用全方位的IP方案,并以安全政策保護我們客戶與協力廠商的智慧財產權。請參考聯電完整的解決方案,而關于其他晶圓專工服務與一般客戶接洽流程,請參考本公司的服務流程圖。
世界級的生產制造
聯電是12吋晶圓生產制造的領導者,目前有兩座運轉中的12吋晶圓廠。Fab 12A位于臺南,自2002年起便開始量產客戶產品,目前生產業界最先進的28奈米制程產品,其單月晶圓產能超過50,000片。聯電的第二座晶圓廠Fab 12i位于新加坡,這座第二代12吋晶圓廠也已進入量產,單月晶圓產能為45,000片。先進的自動化設備、成熟的缺陷密度與具競爭力的生產周期,加上客戶導向的產能擴充計劃,使得聯電成為滿足客戶需求的最佳晶圓專工選擇。
除了12吋廠外,聯電擁有七座8吋廠與一座6吋廠,生產半導體產業每個主要領域所需的產品。
聯華電子車間
聯華電子大事記 |
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1980年5月 |
聯電正式成立 |
1995年7月 |
轉型為純晶圓專工公司 |
1996年1月 |
0.35微米制程開始生產 |
1997年10月 |
0.25微米制程開始生產 |
1999年3月 |
0.18微米制程開始生產 |
1999年11月 |
南科12吋晶圓廠正式建廠 |
2000年1月 |
聯電集團進行跨世紀五合一(聯電/聯誠/聯瑞/ 聯嘉/合泰五合一) |
2000年5月 |
產出第一顆0.13微米制程IC |
2000年9月 |
于紐約證券交易所掛牌上市 |
2003年3月 |
產出第一顆90奈米制程IC |
2004年12月 |
正式收購旗下子公司UMCi,并改名為Fab 12i |
2005年6月 |
產出業界第一顆65奈米客戶晶片 |
2009年12月 |
正式收購日本子公司UMCJ |
2011年10月 |
28奈米制程進入試產 |
2012年5月 |
南科12A廠第五第六期廠房動土典禮 |