橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）宣布其先進(jìn)的超結(jié)功率MOSFET晶體管系列新增快速開(kāi)關(guān)產(chǎn)品，用于高能效消費(fèi)電子產(chǎn)品、計(jì)算機(jī)和電信系統(tǒng)、照明控制器和太陽(yáng)能設(shè)備。

     新產(chǎn)品可提升設(shè)備電源能效，如200-500W中等尺寸電視。如每年制造的2億臺(tái)液晶電視均采用新的MDmesh II Plus™ Low Qg（低柵電荷）功率晶體管，每年溫室氣體將減排14多萬(wàn)噸，這個(gè)數(shù)字相當(dāng)于約3萬(wàn)輛客車的尾氣排放量。

    僅有少數(shù)芯片廠商掌握超結(jié)技術(shù)，采用此項(xiàng)技術(shù)的功率晶體管具有小尺寸、耐高壓和導(dǎo)通能效優(yōu)異等諸多優(yōu)點(diǎn)。意法半導(dǎo)體在這個(gè)技術(shù)領(lǐng)域居全球領(lǐng)先水平，除MDmesh功率MOSFET外，現(xiàn)在又推出了性能更高的MDmesh II Plus™ Low Qg系列。這些先進(jìn)特性可降低管內(nèi)柵極電荷數(shù)量，提高開(kāi)關(guān)以及導(dǎo)通時(shí)的能效，有助于液晶電視常用的諧振型電源節(jié)省電能。

     在改進(jìn)設(shè)計(jì)后，新產(chǎn)品降低了柵電荷（Qg）以及輸入和輸出電容，這些參數(shù)有助于進(jìn)一步提高開(kāi)關(guān)速度和能效，推進(jìn)液晶電視開(kāi)發(fā)人員選用超結(jié)晶體管設(shè)計(jì)諧振電源。直到現(xiàn)在，超結(jié)晶體管仍主要用于設(shè)計(jì)硬開(kāi)關(guān)拓?fù)洌陔娏麟妷憾己芨叩臈l件下執(zhí)行開(kāi)關(guān)操作。在諧振型電源內(nèi)，兩支電感和一支電容（LLC功率轉(zhuǎn)換器）可確保晶體管的開(kāi)關(guān)電壓為零電壓，以保證系統(tǒng)電流曲線平滑，從而提高能效。電壓瞬變可燒毀晶體管，引起誤開(kāi)關(guān)，MDmesh II Plus^TM Low Qg新系列擁有高抗瞬變能力，可承受輸入電壓突然劇變（dv/dt），讓新產(chǎn)品能夠在交流電力線上噪聲和諧波等瞬變事件惡劣的環(huán)境中穩(wěn)定工作。

     首款投產(chǎn)的MDmesh II Plus^TM Low Qg產(chǎn)品為采用TO-220封裝的STP24N60M2。意法半導(dǎo)體將擴(kuò)展此系列至50余款不同封裝的產(chǎn)品，如TO-220FP，I2PAK，I2PAK FP，D2PAK，TO-247 和PowerFLAT 8x8。

STP24N60M2主要特性：

·         通態(tài)電阻（R_DS(ON)）：190mΩ

·         擊穿電壓：600V

·         最大連續(xù)漏極電流（I_D）：18A

·         抗dv/dt能力：50V/ns

·         100%雪崩測(cè)試