恩智浦半導體（納斯達克代碼：NXPI）今日推出業內首款2 mmx 2 mm、采用可焊性鍍錫側焊盤的超薄DFN （分立式扁平無引腳）封裝MOSFET。這些獨特的側焊盤提供光學焊接檢測的優勢，與傳統無引腳封裝相比，焊接連接質量更好。

    即將面世的新型PMPB11EN和PMPB20EN30V N溝道MOSFET是采用恩智浦DFN2020MD-6 (SOT1220) 封裝的20多類器件中率先推出的兩款產品。這兩款MOSFET的最大漏極電流(ID)大于10A，10V時的超低導通電阻Rds(on)分別為12 mOhm（典型值）和16.5 mOhm（典型值），因此導通損失小，功耗更低，電池使用壽命更長。

     新型DFN2020 MOSFET高度僅為0.6毫米，比當今市場上大多數2 mmx 2 mm的產品更加輕薄，是智能手機和平板電腦等便攜應用設備中超小型負載開關、電源轉換器和充電開關的理想之選。該款MOSFET還適用于其他空間受限應用，其中包括直流電機、服務器和網絡通信以及LED照明，在這類應用中功率密度和效率尤為關鍵。DFN2020的封裝尺寸僅為標準SO8封裝的八分之一，提供與其相當的熱阻，能夠代替具有相同導通電阻Rds(on)值范圍的許多大型MOSFET封裝，如SO8封裝、3 mmx 3 mm封裝或TSSOP8封裝。

    新型MOSFET提升了恩智浦超小型無引腳MOSFET產品線，截止到今年年末將有超過60種封裝，封裝尺寸為2 mmx 2 mm或1 mmx 0.6 mm。如今，恩智浦是超小型低導通電阻Rds(on) MOSFET的主要生產商，提供電平場效應晶體管(FET)和雙極晶體管技術。

    有關恩智浦新型DFN2020 MOSFET的更多信息，請訪問http://www.nxp.com/ultra-small-mosfets

鏈接

·          PMPB11EN - Nch 30 V VDS、20 V VGS、12 mOhm典型RDSon（10 V時）：http://www.nxp.com/pip/PMPB11EN

·         PMPB20EN - Nch 30 V VDS、20 V VGS、16.5 mOhm典型RDSon（10 V時）：http://www.nxp.com/pip/PMPB20EN

·          DFN2020MD-6封裝：http://www.nxp.com/packages/SOT1220.html

·          視頻：首款2x2mm、采用可焊性鍍錫側焊盤的MOSFET：http://www.youtube.com/watch?v=QnEWyTKjqZk

關于恩智浦半導體

恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (Nasdaq: NXPI) 以其領先的射頻、模擬、電源管理、接口、安全和數字處理方面的專長，提供高性能混合信號（High Performance Mixed Signal）和標準產品解決方案。這些創新的產品和解決方案可廣泛應用于汽車、智能識別、無線基礎設施、照明、工業、移動、消費和計算等領域。公司在全球逾25個國家都設有業務執行機構，2011年公司營業額達到42億美元。更多恩智浦相關信息，請登錄公司官方網站http://cn.nxp.com/查詢。