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Diodes新型 MOSFET離板高度減半

2012-05-02
關鍵詞: MOSFET N通道 P通道

    Diodes Incorporated 推出一系列采用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道P通道MOSFET。DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4,離板高度只有0.4毫米,占板面積只有四平方毫米,是一款額定電壓為-25V的P通道器件,體積較同類器件纖薄50%。同系列另一采用DFN2020E封裝的MOSFET則具有0.5毫米離板高度,較其他一般離板高度為0.6毫米的MOSFET纖薄20%。

    DMP2039UFDE4針對負載開關應用,為電路設計人員提供3kV的電路保護,以免受人體本身的靜電放電所影響。這些最新推出的MOSFET擁有低典型RDS(on)的特性,例如  -12V P通道的DMP1022UFDE,在4.5V的VGS下只有13mΩ,使電池充電應用的傳導損耗減至最少。

    20V N通道的DMN2013UFDE在直流/直流降壓及升壓轉換器內,成為理想的負載開關或高速開關,并提供2kV的高靜電放電保護。DMN6040UFDE將會是首批采用DFN2020封裝的高電壓MOSFET之一,在60V的VDS下運行,并適合應用于系統微型化設計行業(Small form-factor industrial)及供熱通風與空氣調節系統(HVAC) 控制。

    新產品特別適合應用于極纖巧的便攜式產品設計,例如智能手機、平板電腦及數碼相機。首批MOSFET系列九款產品包括-12V、-20V、-25V、-40V的P通道MOSFET及12V、20V及60V的N通道MOSFET器件。

    如欲了解進一步產品信息,請瀏覽www.diodes.com。

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