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ST推出基于SOI基板的0.16μmBCD工藝制造芯片

2011-04-21
來源:ST
  意法合資的意法半導體(ST Microelectronics)宣布,該公司驗證了計劃用于醫療器械及混合動力車和電動汽車充電器的“超低”功耗芯片用工藝技術。該技術由名為SmartPM(Smart Power Management in Home and Health)的歐洲聯盟開發。

  SmartPM是在EU的ENIAC(歐洲納電子行動顧問委員會)框架內結成的聯盟,由意法半導體和歐洲的17個伙伴團體組成。17個團體分別是比利時、法國、德國、愛爾蘭、意大利、荷蘭、挪威、西班牙以及瑞典等9個國家的企業和學術機構。

  此次用于制造驗證芯片的是使用SOI(silicon-on-insulator)基板的BCD(bipolar-CMOS-DMOS)工藝,采用 0.16μm的曝光技術。利用該工藝,可在一枚芯片上集成絕緣層完全分離的高密度邏輯電路(1.8V和3.3V的CMOS)、最大耐壓為300V的功率 MOSFET晶體管、低噪聲元件以及高電阻寄存器。能夠實現利用原來的體硅基板無法實現的ASIC。

  驗證芯片由意法半導體與世界頂級醫療器械廠商合作開發。是一款用于超聲波掃描儀的芯片。此次的芯片可進行100溝道以上的處理,利用該芯片,能夠實現擁有數千溝道的新一代超聲波掃描儀。另外,利用現有的普通技術,一枚芯片只能進行8溝道左右的處理。
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