頭條 東京大學研發摻鎵氧化銦晶體取代硅材料 6月29日消息，據scitechdaily報道，在2025 年 VLSI 技術和電路研討會上，東京大學工業科學研究所的研究人員發布了一篇題為《通過InGaOx的選擇性結晶實現環繞柵極的納米片氧化物半導體晶體管，以提高性能和可靠性》的論文，宣布開發一種革命性的新型的摻鎵氧化銦（InGaOx）的晶體材料，有望取代現有的硅材料，大幅提升在AI 與大數據領域應用的性能，并在后硅時代延續摩爾定律的生命力。 最新資訊 Intel力拼2027年打造HBM內存替代方案 6月2日消息，據媒體報道，Intel將與軟銀合作，共同開發一種可取代HBM內存的堆疊式DRAM解決方案。 雙方成立了一家名為“Saimemory”的新公司，將基于英特爾的技術和東京大學等日本學術界的專利，共同打造原型產品。 該合作的目標是在2027年前完成原型設計，并評估量產可行性，力爭在2030年前實現商業化。 發表于：6/3/2025 中國科學院物理研究所發現超帶隙透明導體 6 月 2 日消息，據中國科學院物理研究所官網，透明導體兼具導電性與透明性，廣泛應用于觸控屏、太陽能電池、發光二極管、電致變色和透明顯示等光電器件，成為現代信息與能源技術中不可或缺的核心材料。 發表于：6/3/2025 AI服務器過熱與液冷漏液問題順利解決 5月30日，據外媒《金融時報》（Financial Times）報導，包括鴻海、英業達、戴爾及緯創等英偉達（NVIDIA）合作伙伴已成功克服一連串技術難題，得以開始出貨Blackwell AI服務器。 發表于：6/3/2025 Arm希望今年拿下50%服務器市場和40%的PC平板市場 COMPUTEX 2025展會上，Arm宣布今年出貨到頂尖超大規模云端服務供應商的算力，近50%是基于Arm構架。Arm也預估PC與平板市場，Arm構架將占整體出貨量40%。新構架要獲市場認可往往需要較長時間，Arm取得這成績耗時明顯更短，是如何做到？ 發表于：6/3/2025 DDR4價格連續兩個月上漲超20% 5月30日消息，據Business Korea 報道稱，今年5月DRAM和NAND芯片的市場平均售價都出現了上漲，其中，8GB DDR4芯片的價格為2.10美元，比4月份的1.65美元上漲了27%，而在今年3月的價格則徘徊在1.37美元左右，這也意味著DDR4的價格連續兩個月上漲了超過20%。 發表于：6/3/2025 微軟再次裁員305人 微軟公司近日在華盛頓州進行了新一輪裁員，涉及 305 名員工。此次裁員距離該公司 5 月中旬的全球范圍裁員僅過去不到三周。據華盛頓州就業安全局的文件顯示，微軟已于本周一通知了受影響的員工。 發表于：6/3/2025 ROHM首款面向高耐壓GaN器件驅動的隔離型柵極驅動器IC開始量產 中國上海，2025年5月27日——全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出一款適用于600V級高耐壓GaN HEMT驅動的隔離型柵極驅動器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通過與本產品組合使用，可使GaN器件在高頻、高速開關過程中實現更穩定的驅動，有助于電機和服務器電源等大電流應用進一步縮減體積并提高效率。 發表于：6/1/2025 我國建成全球首個突破2000公里的皮秒級穩定度光纖時間傳遞工程應用系統 5 月 29 日消息，據陜西日報昨日消息，中國科學院國家授時中心張首剛、董瑞芳和劉濤研究員團隊牽頭，成功完成西安至湖北段 2061 公里單纖雙波長時間傳遞系統的設備安裝與性能測試，標志著我國建成全球首個突破 2000 公里的皮秒級穩定度光纖時間傳遞工程應用系統。 相關成果近日發表于光學領域權威期刊《中國光學快報》，并作為期刊封面。 發表于：5/30/2025 FTC要求新思科技與Ansys剝離部分資產 5 月 29 日消息，美國聯邦貿易委員會（FTC）于當地時間 5 月 28 日宣布，為解決半導體IP 供應商和 EDA 軟件提供商新思科技（Synopsys）與工業軟件公司 Ansys 價值 350 億美元合并案中的反壟斷問題，將要求雙方剝離部分資產。 發表于：5/30/2025 黃仁勛批美國認知錯誤：中國無法制造AI芯片是假象 5月30日消息，由于美國對芯片管控越來越嚴，這直接導致英偉達無法向中國廠商繼續出售H20。 對于丟失的中國市場，黃仁勛也是倍感無奈，其不止一次公開表示，美國政府有關出口管制措施給英偉達和美國都造成損害。 近日，黃仁勛又一次公開發聲，其痛批美國現在的認知落后，因為在他們看來中國根本沒有能力制造AI芯片。 發表于：5/30/2025 ?…15161718192021222324…?
