頭條 東京大學研發摻鎵氧化銦晶體取代硅材料 6月29日消息，據scitechdaily報道，在2025 年 VLSI 技術和電路研討會上，東京大學工業科學研究所的研究人員發布了一篇題為《通過InGaOx的選擇性結晶實現環繞柵極的納米片氧化物半導體晶體管，以提高性能和可靠性》的論文，宣布開發一種革命性的新型的摻鎵氧化銦（InGaOx）的晶體材料，有望取代現有的硅材料，大幅提升在AI 與大數據領域應用的性能，并在后硅時代延續摩爾定律的生命力。 最新資訊 恩智浦發布S32 CoreRide開放平臺 恩智浦發布S32 CoreRide開放平臺，突破軟件定義汽車開發的集成障礙 發表于：4/9/2024 海能達突遭美國禁令：對講機被全球禁售！ 海能達突遭美國禁令 對講機被全球禁售！官方回應 發表于：4/8/2024 英偉達將投資2億美元在印尼投資建AI中心 英偉達將投資2億美元在印尼投資建AI中心 發表于：4/7/2024 英特爾發布XeSS 1.3 SDK，宣稱將大幅提升游戲FPS幀數表現 英特爾發布 XeSS 1.3 SDK，宣稱將大幅提升游戲 FPS 幀數表現 發表于：4/7/2024 微軟和Quantinum宣布在量子計算領域實現重大突破 微軟和Quantinum宣布在量子計算領域實現重大突破 發表于：4/7/2024 三星S25全系放棄使用效能較差的Exynos 據媒體報道，由于 Exynos 效能始終和高通有差距，三星將繼續采用雙處理器策略，高通驍龍處理器仍將在 S25 系列上出現。 此前有報道稱， Galaxy S25 系列將全系采用自研 Exynos 處理器。 為此三星還專門成立團隊來優化 Exynos，通過采用三星第二代 3nm 制程技術打造，并希望通過 S25 新機展現成果。 發表于：4/7/2024 谷泰微榮獲2024中國IC設計成就獎之極具投資價值IC設計企業獎 3月29日，由知名媒體ASPENCORE主辦的“中國IC設計成就獎”（2024 CHINA IC DESIGN AWARDS）頒獎典禮在上海舉辦。江蘇谷泰微電子有限公司憑借在模擬芯片及信號鏈芯片領域的出色表現，榮獲2024年度中國IC設計成就獎之“極具投資價值IC設計企業獎”！ 發表于：4/1/2024 可重構晶體管登場，可用于構建有編程功能的芯片電路 來自奧地利維也納工業大學的科研團隊近日開發出新型晶體管技術 -- 可重構場效應晶體管（RFET），可用于構建具有可隨時編程功能的電路。 一顆 CPU 固然擁有數十億個晶體管，但通常情況下是為執行一種特定功能而制造的。 傳統的晶體管開發和生產過程中有一道 " 化學摻雜 " 的步驟，就是為純的本質半導體引入雜質，從而改變電氣屬性的過程。摻雜過程決定了電流的流動方向，一旦晶體管被制造出來就無法改變。 RFET 則是靜電摻雜取代了化學摻雜，這是一種不會永久改變半導體材料化學結構的新方法。 發表于：4/1/2024 新思科技收購Intrinsic ID，持續拓展全球領先的半導體IP產品組合 新思科技收購Intrinsic ID，持續拓展全球領先的半導體IP產品組合 新思科技 ( Synopsys, Inc.，納斯達克股票代碼：SNPS ) 近日宣布完成對 Intrinsic ID 的收購，后者是用于系統級芯片 ( SoC ) 設計中物理不可克隆功能 ( PUF ) IP 的領先提供商。此次收購為新思科技全球領先的半導體 IP 產品組合增加了經過生產驗證的 PUF IP，讓全球芯片開發者能夠利用每個硅片的固有特征生成一個獨特的片上標識符以保護其 SoC。與此同時，此次收購也為新思科技帶來了 Intrinsic ID 經驗豐富的 PUF 技術研發團隊。本次交易對新思科技的財務狀況無重大影響，詳情目前暫未披露。 發表于：4/1/2024 長江存儲QLC閃存X3-6070擦寫壽命已達四千次 3 月 28 日消息，據臺媒 DIGITIMES 報道，長江存儲在中國閃存市場峰會 CFMS 2024 上表示采用第三代 Xtacking 技術的 X3-6070 QLC 閃存已實現 4000 次 P / E 的擦寫壽命。 不同于質保壽命，消費級原廠 TLC 固態硬盤在測試中普遍至少擁有 3000 次 P / E 級別的擦寫壽命。 發表于：3/29/2024 ?…175176177178179180181182183184…?
