頭條 使用有安全保障的閃存存儲構建安全的汽車系統 在現代汽車嵌入式系統中，高度安全的數據存儲是必不可少的，尤其是在面對日益高明的網絡攻擊時。本文將介紹設計師正確使用閃存的步驟。 最新設計資源 四路串行CMOS復接器的設計實現[嵌入式技術][其他] 通信系統中，數字復接是提高帶寬利用率的一項重要技術，將多路并行低速信號轉變為高比特率的串行數字流。首先使用Cadence軟件仿真基本門級CMOS電路，通過自下而上的FPGA設計方法和Verilog硬件描述語言，設計四路串行復接器的功能組成模塊，完成Quartus II平臺上的可綜合驗證。最后提出了復接器CMOS集成電路的設計思路。 發表于：8/19/2016 Linux下實時文件系統的設計[嵌入式技術][數據中心] Linux下常見的十余種文件系統的實時性都不理想。針對歸檔存儲數據的特點，提出一種實時文件系統設計方案，并且設計了一種按照時間點檢索的檢索算法。文件系統的設計以減少讀寫文件時的不確定延遲為目的，主要減少寫時尋道時間，簡化索引機制，簡化空閑磁盤塊管理。 發表于：8/19/2016 基于分層隊列歷史性能建模的云系統資源管理[嵌入式技術][其他] 為評定企業級云系統在負載下的響應處理能力，需要對其有直接影響的資源管理能力進行評估和預測。而這種評估的有效性在對緊急資源請求、動態負載變化、消費者并行調節等協同需求因素綜合考慮的情況下將顯得更加有效。然而，目前尚沒有對這些因素進行比較系統的研究報告。針對上述需求，以分層隊列和歷史建模技術為模型及實驗基礎，以大量數據實例為背景進行了分析。實驗結果顯示，以分層隊列模型及歷史性能建模為指導的新架構可以達到70%的預測準確度。以此為基礎，給出了一個基于預測模型的云負載和資源管理算法。 發表于：8/19/2016 MOS晶體管[模擬設計][消費電子] 金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-SEMIconductor)結構的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構成的集成電路稱為MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共同構成的互補型MOS集成電路即為CMOS-IC 發表于：8/19/2016 P溝MOS晶體管[模擬設計][消費電子] ?金屬氧化物半導體場效應(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場效應晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導，柵極上加有足夠的正電壓(源極接地)時，柵極下的N型硅表面呈現P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓可以改變溝道中的電子密度，從而改變溝道的電阻。這種MOS場效應晶體管稱為P溝道增強型場效應晶體管。如果N型硅襯底表面不加柵壓就已存在P型反型層溝道，加上適當的偏壓，可使溝道的電阻增大或減小。這樣的MOS場效應晶體管稱為P溝道耗盡型場效應晶體管。統稱為PMOS晶體管。 發表于：8/19/2016 N溝MOS晶體管[模擬設計][消費電子] 金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-SemIConductor)結構的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構成的集成電路稱為MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共同構成的互補型MOS集成電路即為CMOS-IC。 由p型襯底和兩個高濃度n擴散區構成的MOS管叫作n溝道MOS管，該管導通時在兩個高濃度n擴散區間形成n型導電溝道。n溝道增強型MOS管必須在柵極上施加正向偏壓，且只有柵源電壓大于閾值電壓時才有導電溝道產生的n溝道MOS管。n溝道耗盡型MOS管是指在不加柵壓（柵源電壓為零）時，就有導電溝道產生的n溝道MOS管。 發表于：8/19/2016 利用動態二進制分析方法實現內存自動檢測[嵌入式技術][其他] 內存相關程序錯誤的自動檢測技術能夠幫助程序員盡早發現程序中的內存相關錯誤，從而提高軟件開發效率，增強軟件運行的可靠性。探討了采用前沿的動態二進制分析技術檢測軟件中與內存相關錯誤，為程序員定位錯誤位置、查找錯誤、消除錯誤原因提供準確的信息的方法，為致力于內存程序錯誤檢測技術的研究人員提供參考。在C/C++軟件中的內存錯誤檢測實例驗證了本文方法的有效性。 發表于：8/18/2016 一種實時數據庫數據存儲結構的研究[嵌入式技術][數據中心] 為了適應國產化指揮顯示控制系統中對大批量過程數據的實時快速存儲管理的需求，結合實時系統技術和數據庫技術，在自主研究設計的力數實時數據庫系統的基礎上，研究設計了適合當前背景的內存數據的存儲結構、磁盤歷史數據的存儲結構及數據模型，它能夠更好地滿足當前指揮顯示系統的實際需求。 發表于：8/18/2016 壓縮感知在無線傳感網絡的應用綜述[通信與網絡][通信網絡] 隨著信息技術的發展，近些年壓縮感知技術格外引人矚目，在圖像視頻編碼、雷達及微波輻射成像、氣象衛星、圖像加密、物聯網等領域展現出強大的功能與發展前景。首先介紹了壓縮感知在無線傳感網絡領域的發展及研究現狀，然后從壓縮感知仿真實驗和實例、壓縮感知的測量方案、壓縮感知的解壓縮方案、壓縮感知在無線傳感網絡的具體應用四個方面闡明了壓縮感知在無線傳感網絡領域的優勢，最后對壓縮感知的前景進行了展望。 發表于：8/18/2016 在線社交網絡研究概述[通信與網絡][通信網絡] 在線社交網絡是伴隨著互聯網技術發展產生的，它屬于眾多復雜網絡中的一種。近年來，對于在線社交網絡的研究不斷深入，研究方向可以細分為網絡拓撲特征的分析、虛擬社區劃分算法的研究、傳播動力學研究、網絡采樣與重構、網絡拓撲識別等。大數據研究的興起使得在線社交網絡的研究更加受到人們的關注。當前，人們的日常生活幾乎離不開在線社交網絡，也因此每天都會有大量的用戶數據產生，分析、利用這些數據可以幫助人們了解自己并創造更多的價值。 發表于：8/18/2016 MOS晶體管[模擬設計][消費電子] 金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-SemIConductor)結構的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構成的集成電路稱為MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共同構成的互補型MOS集成電路即為CMOS-IC 發表于：8/18/2016 增強型MOS晶體管,增強型MOS晶體管是什么意思[模擬設計][消費電子] 根據導電方式的不同，MOSFET又分增強型、耗盡型。所謂增強型是指：當VGS=0時管子是呈截止狀態，加上正確的VGS后，多數載流子被吸引到柵極，從而“增強”了該區域的載流子，形成導電溝道。 發表于：8/18/2016 什么是耗盡型MOS晶體管[模擬設計][消費電子] 據導電方式的不同，MOSFET又分增強型、耗盡型。耗盡型是指，當VGS=0時即形成溝道，加上正確的VGS時，能使多數載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉向截止。 耗盡型MOS場效應管，是在制造過程中，預先在SiO2絕緣層中摻入大量的正離子，因此，在UGS=0時，這些正離子產生的電場也能在P型襯底中“感應”出足夠的電子，形成N型導電溝道。 發表于：8/18/2016 最新耐用型大功率LDMOS晶體管耐用測試及應用類型[模擬設計][消費電子] 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體（LDMOS）晶體管，這種產品能夠承受相當于65.0:1的電壓駐波比（VSWR）的負載失配。但這些晶體管真的無懈可擊嗎？這種耐用性適用于哪些類型的應用？本報告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性，并通過比較測試過程來判斷它們的耐用水平。 發表于：8/18/2016 新型高耐壓功率場效應晶體管[模擬設計][消費電子] ?摘要：分析了常規高壓MOSFET的耐壓與導通電阻間的矛盾，介紹了內建橫向電場的高壓MOSFET的結構，分析了解決耐壓與導通電阻間矛盾的方法與原理，介紹并分析了具有代表性的新型高壓MOSFET的主要特性。 發表于：8/18/2016 ?…495496497498499500501502503504…?
