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閃存芯片迎春 20nm制程技術完全解析
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英特爾美光推20納米級NAND芯片 下半年量產
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基于ARM9內核Processor對外部NAND FLASH的控制實現
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新閃存標準ONFI3.0出爐 訪問速度提升一倍
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基于VxWorks的NANDFLASH驅動程序設計
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美光科技針對基于NAND閃存的筆記本推出了運行更快，容量更高的固態硬盤
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繼去年創下高位后，2011年NOR閃存營業收入預計下降
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美光公司用ClearNAND閃存改善系統設計
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Nios II與CF卡的接口設計
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NAND Flash下半年需求急增價格陷拔河賽
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解密16Gb MLC NAND閃存表象下的技術細節
發表于：1/29/2011 12:00:00 AM
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基于ClearNAND閃存的系統設計改進方案
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2010年半導體銷售額增幅創最高紀錄
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半導體業2011年預測
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基于Nand Flash的VIVI裝載器的分析與改進
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2010全球半導體市場或大幅增長至3040億美元
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2011年半導體市場回歸正常軌道
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Micron 推出創新閃存裝置，延長 NAND閃存生命周期
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預警2011年NAND Flash市場：上半年小心供過于求
發表于：12/4/2010 12:00:00 AM
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DRAM市場價格持續下跌
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美光和英特爾率先利用業界領先的25納米硅工藝技術推出3-bit-per-cell NAND 閃存
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Spansion、爾必達（Elpida）宣布建立更廣泛閃存合作聯盟
發表于：7/27/2010 12:00:00 AM
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存儲器市場高漲 引發全球前20大IC供應商排名大變
發表于：6/3/2010 12:00:00 AM
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分析稱4月IC出貨低于預期 臺灣雙M表現兇猛
發表于：5/28/2010 12:00:00 AM
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閃存新技術終于接近量產！可變電阻式內存可望取代NAND（一）
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iSuppli預測2010年NOR Flash市場收益將止跌回升
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可管理的存儲器：為存儲器系統增加智能的途徑
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美光12億美元并恒憶 坐擁DRAM、NAND、NOR三大技術
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三星第一季度NAND Flash市占逼近40%大關
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基于VxWorks的三星 NAND FLASH驅動程序設計
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