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IR推出采用PQFN封裝的20V、25V及30V MOSFET，適用于ORing和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用
發(fā)表于：3/11/2010 12:00:00 AM
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60V 輸入、雙路輸出同步降壓型 DC/DC 控制器在電池供電系統(tǒng)中僅吸取 50uA 電流
發(fā)表于：3/9/2010 12:00:00 AM
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飛兆半導(dǎo)體微型以封裝高效產(chǎn)品應(yīng)對(duì)DC-DC設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
發(fā)表于：3/2/2010 12:00:00 AM
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英飛凌推出25V OptiMOS? 調(diào)壓MOSFET 和 DrMOS系列，使典型服務(wù)器的能效達(dá)到93%
發(fā)表于：3/1/2010 12:00:00 AM
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德州儀器推出具有同步整流器輸出控制功能的全新環(huán)保型相移全橋控制器
發(fā)表于：2/25/2010 12:00:00 AM
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Vishay Siliconix 推出符合DrMOS®規(guī)定的新款器件
發(fā)表于：2/23/2010 12:00:00 AM
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雙輸出、多相降壓型 DC/DC 控制器與 Power Block 和 DrMOS 器件運(yùn)行
發(fā)表于：2/23/2010 12:00:00 AM
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德州儀器推出具備板載功率 MOSFET 的全集成型Fusion Digital PowerTM 雙路功率驅(qū)動(dòng)器
發(fā)表于：2/22/2010 12:00:00 AM
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安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充功率開(kāi)關(guān)產(chǎn)品陣容，推出高壓MOSFET系列
發(fā)表于：2/22/2010 12:00:00 AM
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安捷倫科技公司宣布推出用于ADS軟件的NXP Semiconductors的射頻小信號(hào)產(chǎn)品設(shè)計(jì)套件
發(fā)表于：2/8/2010 12:00:00 AM
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Maxim推出業(yè)內(nèi)首款2串HB LED驅(qū)動(dòng)器
發(fā)表于：2/3/2010 12:00:00 AM
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安森美半導(dǎo)體100 V N溝道MOSFET系列新增具備大電流能力和強(qiáng)固負(fù)載性能的方案
發(fā)表于：2/3/2010 12:00:00 AM
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高壓、低靜態(tài)電流同步降壓型 DC/DC 控制器在 -55ºC 至 125ºC 的溫度范圍內(nèi)工作
發(fā)表于：2/2/2010 12:00:00 AM
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Vishay Siliconix 推出4款600V MOSFET，繼續(xù)擴(kuò)展Super Junction FET®技術(shù)
發(fā)表于：1/27/2010 12:00:00 AM
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IR 推出適用于汽車(chē)的 DirectFET®2 功率 MOSFET，實(shí)現(xiàn)卓越的功率密度和性能
發(fā)表于：1/27/2010 12:00:00 AM
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用于高效率降壓型或升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器具有強(qiáng)大的柵極驅(qū)動(dòng)
發(fā)表于：1/27/2010 12:00:00 AM
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英飛凌推出性能領(lǐng)先業(yè)界的200V和250V OptiMOSTM系列器件，壯大功率MOSFET 產(chǎn)品陣容
發(fā)表于：1/26/2010 12:00:00 AM
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Vishay的101/102 PHR-ST螺旋式接線柱功率鋁電容器新增三種更大的外形尺寸
發(fā)表于：1/25/2010 12:00:00 AM
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Vishay推出新款小尺寸100V TMBS® Trench MOS勢(shì)壘肖特基整流器
發(fā)表于：1/21/2010 12:00:00 AM
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詳細(xì)講解MOSFET管驅(qū)動(dòng)電路
發(fā)表于：1/16/2010 12:00:00 AM
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MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路總結(jié)
發(fā)表于：1/16/2010 12:00:00 AM
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MOSFET柵漏電流噪聲模型研究
發(fā)表于：1/6/2010 12:00:00 AM
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Vishay Siliconix推出業(yè)界最小的60V 功率MOSFET
發(fā)表于：12/30/2009 12:00:00 AM
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Diodes推出為VoIP應(yīng)用優(yōu)化的全新MOSFET
發(fā)表于：12/4/2009 12:11:55 PM
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Vishay Siliconix最新推出的P溝道功率MOSFET的導(dǎo)通電阻不僅為業(yè)內(nèi)最低，更將之前的最低紀(jì)錄減小了近50%之多
發(fā)表于：11/23/2009 4:18:17 PM
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安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充計(jì)算機(jī)和游戲機(jī)應(yīng)用的電源管理產(chǎn)品系列，推出新的高密度溝槽MOSFET
發(fā)表于：11/6/2009 4:00:26 PM
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Vishay推出業(yè)界操作電壓最高的IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器
發(fā)表于：6/9/2009 8:51:50 AM
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意法半導(dǎo)體ST推出250A功率MOSFET
發(fā)表于：7/29/2008 4:00:00 PM
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