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高壓斷路器機(jī)械特性測(cè)試儀測(cè)試解決方案

隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)和傳感器技術(shù)的發(fā)展，為基于過(guò)程測(cè)量的非接觸高壓斷路器機(jī)械特性測(cè)試儀的實(shí)現(xiàn)提供了可能。經(jīng)過(guò)反復(fù)的市場(chǎng)調(diào)研和對(duì)位移傳感器現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)的長(zhǎng)期跟蹤，北京合智誠(chéng)技術(shù)有限公司、西安高壓供電局變電修試所、焦作電廠檢修分廠聯(lián)合提出了基于過(guò)程測(cè)試的非接觸式高壓斷路器機(jī)械特性測(cè)試儀的實(shí)施方案，并經(jīng)過(guò)近一年的研制、試驗(yàn)取得了令人滿意的效果。該儀器根據(jù)國(guó)標(biāo)GB 3309—1989和GB 1984—1989標(biāo)準(zhǔn)中有關(guān)檢測(cè)項(xiàng)目和術(shù)語(yǔ)定義進(jìn)行設(shè)計(jì)制造，它所能檢測(cè)的項(xiàng)目和數(shù)據(jù)的處理均優(yōu)于有關(guān)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)速度和位移的測(cè)量方法獨(dú)特，傳感器不必與斷路器的動(dòng)作連桿接觸，使得現(xiàn)場(chǎng)測(cè)量既方便又可靠，并且可實(shí)現(xiàn)過(guò)程測(cè)量，改變了以往狀態(tài)測(cè)量法的不足。

發(fā)表于：6/2/2011

多傳感器融合定位在高速鐵路的應(yīng)用[圖]

2009年在武廣、鄭西等客運(yùn)專(zhuān)線中，C3列控系統(tǒng)的應(yīng)用，對(duì)高速鐵路列車(chē)定位技術(shù)提出了更高的要求。C3列控系統(tǒng)的主要技術(shù)原則中明確提出，列車(chē)的運(yùn)營(yíng)速度達(dá)到350 km/h，最小追蹤間隔為3 min，并且300 km/h及以上動(dòng)車(chē)組不裝設(shè)列車(chē)運(yùn)行監(jiān)控裝置，在300 km/h及以上線路，CTCS-3級(jí)列控系統(tǒng)車(chē)載設(shè)備速度容限規(guī)定為超速2 km/h報(bào)警、超速5 km/h觸發(fā)常用制動(dòng)、超速15 km/h觸發(fā)緊急制動(dòng)。這些技術(shù)原則要求高速鐵路列車(chē)運(yùn)行控制系統(tǒng)必須在任何時(shí)刻、任何地方都能確定列車(chē)的準(zhǔn)確位置，包括列車(chē)的行車(chē)安全的相關(guān)間隔、速度、加速度及軌旁設(shè)備和車(chē)載設(shè)備資源的分配。由這些信息來(lái)確定是否需要采取制動(dòng)措施，保證安全間隔。目前，陀螺、加速度計(jì)、里程儀、GPS接收機(jī)等傳感器已經(jīng)普遍應(yīng)用于列車(chē)測(cè)速定位系統(tǒng)。

發(fā)表于：6/1/2011

片機(jī)系統(tǒng)運(yùn)行參數(shù)的保存及有效性判別

在單片機(jī)構(gòu)成的控制系統(tǒng)中，系統(tǒng)控制時(shí)需要使用和保存已經(jīng)設(shè)置或優(yōu)化的參數(shù)。如果將運(yùn)行參數(shù)僅僅存儲(chǔ)于單片機(jī)的RAM區(qū)中，則系統(tǒng)在掉電或重啟時(shí)將會(huì)丟失這些重要參數(shù)，不能正常運(yùn)行。為了解決上述問(wèn)題，保證控制系統(tǒng)正常、可靠地運(yùn)行，需要將這些運(yùn)行參數(shù)保存在足夠容量的電可擦除存儲(chǔ)器（EEPROM）中。在寫(xiě)入或讀出EEPROM中的數(shù)據(jù)時(shí)，為保證數(shù)據(jù)操作的正確性，則需要進(jìn)行數(shù)據(jù)校驗(yàn)。在系統(tǒng)運(yùn)行這些參數(shù)之前，為檢查運(yùn)行參數(shù)的取值是否在許可范圍之內(nèi)，則需要進(jìn)行參數(shù)取值范圍的檢驗(yàn)。本文結(jié)合作者開(kāi)發(fā)的電梯轎廂門(mén)機(jī)控制系統(tǒng)，來(lái)詳細(xì)討論參數(shù)保存和校驗(yàn)的設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn)。

發(fā)表于：6/1/2011

日本知名半導(dǎo)體供應(yīng)商羅姆開(kāi)拓中國(guó)網(wǎng)絡(luò)銷(xiāo)售市場(chǎng)

5月10日，日本知名半導(dǎo)體供應(yīng)商羅姆株式會(huì)社在官方網(wǎng)頁(yè)上開(kāi)始實(shí)行網(wǎng)絡(luò)銷(xiāo)售，旨在把以中國(guó)企業(yè)為中心的非日系企業(yè)的營(yíng)業(yè)額從30%提高到40%。羅姆方面希望借助網(wǎng)絡(luò)銷(xiāo)售可輕松便利地購(gòu)入樣品的特點(diǎn)吸引中國(guó)顧客。（http://www.rohm.com.cn/corporate/group/web-support-china.php）

發(fā)表于：5/31/2011

充分利用MAXQ處理器的非易失存儲(chǔ)服務(wù)

需要非易失數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的應(yīng)用通常都需要使用外部串行EEPROM。這篇文章介紹了僅使用MAXQ微控制器中已有的閃存提供非易失數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的方法。

發(fā)表于：5/31/2011

基于PON技術(shù)的OTDR法測(cè)試方案[圖]

自首次部署無(wú)源光網(wǎng)絡(luò)(PON)以來(lái)，人們已經(jīng)設(shè)計(jì)出很多種測(cè)試方法來(lái)對(duì)這些網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行驗(yàn)證和故障診斷。

發(fā)表于：5/31/2011

高密度光纖鏈路在數(shù)據(jù)中心的布線設(shè)計(jì)

如今的數(shù)據(jù)中心的設(shè)備將被組織并分成各個(gè)不同的功能區(qū)域：服務(wù)器區(qū)、存儲(chǔ)設(shè)備區(qū)、中心交換機(jī)區(qū)、路由器和高性能的集群計(jì)算機(jī)區(qū)。這種有序的安排，對(duì)于服務(wù)要求的增長(zhǎng)、電源及冷卻系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)化設(shè)計(jì)會(huì)有稍微的幫助。

發(fā)表于：5/31/2011

恩智浦NextPower MOSFET以行業(yè)最低RDS (on) 全面提升效率

中國(guó)上海，2011年5月27日 —— 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ：NXPI) 今日宣布，其采用LFPAK封裝的NextPower系列25V和30V MOSFET將有15款新產(chǎn)品開(kāi)始供貨。這些恩智浦功率MOSFET家族的最新成員在六個(gè)關(guān)鍵參數(shù)方面找到了最佳平衡點(diǎn)，并且具有行業(yè)最低的RDS (on) （25V和30V均為亞1 mΩ級(jí)），是高性能、高可靠性開(kāi)關(guān)應(yīng)用的理想之選。傳統(tǒng)方法主要著眼于降低RDS (on) 和Qg，而恩智浦NextPower則采用超結(jié)技術(shù)來(lái)優(yōu)化低RDS (on)、低Qoss、低Qg(tot) 與Qgd之間的平衡，從而實(shí)現(xiàn)強(qiáng)大的開(kāi)關(guān)性能，減少漏極輸出與源極引腳之間的損耗，同時(shí)提供卓越的SOA性能。此外，恩智浦LFPAK作為最堅(jiān)固的 Power-SO8封裝，尺寸緊湊，面積僅為5mm x 6mm，可在惡劣環(huán)境下提供出色的功率開(kāi)關(guān)功能。

發(fā)表于：5/30/2011

英飛凌推出市場(chǎng)領(lǐng)先的集成快速體二極管的650V CoolMOS? CFD2產(chǎn)品

發(fā)表于：5/30/2011

今年DRAM模組市場(chǎng)預(yù)計(jì)增長(zhǎng)11% DDR3仍占優(yōu)勢(shì)

IHSiSuppli公司的研究顯示，擺脫最嚴(yán)重的衰退階段之后，DRAM模組廠商在全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇日益增強(qiáng)如魚(yú)得水，DRAM芯片與模組價(jià)格堅(jiān)挺。盡管去年許多產(chǎn)業(yè)連續(xù)受到?jīng)_擊，但DRAM模組出貨量并未停止增長(zhǎng)。尤其是，消費(fèi)者更加愿意更換舊PC或者升級(jí)現(xiàn)有型號(hào)，促進(jìn)了DRAM模組市場(chǎng)的增長(zhǎng)。

發(fā)表于：5/30/2011

利用MEMS制作微型攜帶用燃料電池組件

本文介紹利用MEMS技術(shù)制作閥、改質(zhì)器、噴射器等微型燃料電池組件，以及微型燃料電池的發(fā)展動(dòng)向。

發(fā)表于：5/28/2011

音頻/視頻開(kāi)關(guān)MAX9670/MAX9671特性/應(yīng)用/數(shù)據(jù)資料

MAX9670/MAX9671雙路SCART矩陣開(kāi)關(guān)能夠在I2C控制下實(shí)現(xiàn)機(jī)頂盒解碼芯片和兩個(gè)外部SCART控制器之間的音頻、視頻信號(hào)切換。

發(fā)表于：5/28/2011

電壓開(kāi)關(guān)中的常見(jiàn)挑戰(zhàn)及解決方案

設(shè)計(jì)自動(dòng)化的測(cè)試系統(tǒng)開(kāi)關(guān)需要搞清楚要開(kāi)關(guān)信號(hào)和要執(zhí)行測(cè)試的特點(diǎn)。例如，在測(cè)試應(yīng)用中承受開(kāi)關(guān)電壓信號(hào)的最合適的開(kāi)關(guān)卡和技術(shù)取決于其涉及電壓的幅值和阻抗。

發(fā)表于：5/28/2011

光纖傳感器結(jié)構(gòu)原理及分類(lèi)

以電為基礎(chǔ)的傳統(tǒng)傳感器是一種把測(cè)量的狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榭蓽y(cè)的電信號(hào)的裝置。它的電源、敏感元件、信號(hào)接收和處理系統(tǒng)以及信息傳輸均用金屬導(dǎo)線連接。

發(fā)表于：5/28/2011

Diodes推出操作運(yùn)行溫度低于大型封裝器件的超小型MOSFET

Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產(chǎn)品線。該封裝僅占用0.6平方毫米的PCB面積，較同類(lèi)SOT723 封裝器件節(jié)省一半以上的占板空間，其結(jié)點(diǎn)至環(huán)境熱阻(ROJA) 為256ºC/W，在連續(xù)條件下功耗高達(dá)1.3W，而同類(lèi)產(chǎn)品的功耗則多出一倍。

發(fā)表于：5/27/2011