| 詳解晶體管 | |
| 所屬分類(lèi)：解決方案 | |
| 上傳者：news | |
| 文檔大小：2134 K | |
| 標(biāo)簽： ADI TI FPGA | |
| 所需積分：2分積分不夠怎么辦？ | |
| 文檔介紹：晶體管主要分為兩大類(lèi)：雙極性晶體管（BJT）和場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）。 晶體管有三個(gè)極；雙極性晶體管的三個(gè)極，分別由N型跟P型組成發(fā)射極（Emitter）、基極(Base) 和集電極（Collector）;場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三個(gè)極，分別是源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）。 晶體管因?yàn)橛腥N極性，所以也有三種的使用方式，分別是發(fā)射極接地（又稱(chēng)共射放大、CE組態(tài)）、基極接地（又稱(chēng)共基放大、CB組態(tài)）和集電極接地（又稱(chēng)共集放大、CC組態(tài)、發(fā)射極隨耦器）。 | |
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