| 一種高電源抑制比全工藝角低溫漂CMOS基準(zhǔn)電壓源 | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：serena | |
| 標(biāo)簽： 高電源 CMOS 電壓源 | |
| 所需積分：1分積分不夠怎么辦？ | |
| 文檔介紹： 基于SMIC0.35 μm的CMOS工藝，設(shè)計(jì)了一種高電源抑制比，同時(shí)可在全工藝角下的得到低溫漂的帶隙基準(zhǔn)電路。首先采用一個(gè)具有高電源抑制比的基準(zhǔn)電壓，通過電壓放大器放大得到穩(wěn)定的電壓，以提供給帶隙核心電路作為供電電源，從而提高了電源抑制比。另外，將電路中的關(guān)鍵電阻設(shè)置為可調(diào)電阻，從而可以改變正溫度電壓的系數(shù)，以適應(yīng)不同工藝下負(fù)溫度系數(shù)的變化，最終得到在全工藝角下低溫漂的基準(zhǔn)電壓。Cadence virtuoso仿真表明：在27 ℃下，10 Hz時(shí)電源抑制比（PSRR）-109 dB，10 kHz時(shí)（PSRR）達(dá)到-64 dB；在4 V電源電壓下，在-40～80 ℃范圍內(nèi)的不同工藝角下，溫度系數(shù)均可達(dá)到5.6×10-6 V/℃以下。 | |
| 現(xiàn)在下載 | |
| VIP會員，AET專家下載不扣分；重復(fù)下載不扣分，本人上傳資源不扣分。 | |
高電源 相關(guān)資源
Copyright ? 2005-2024 華北計(jì)算機(jī)系統(tǒng)工程研究所版權(quán)所有 京ICP備10017138號-2