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蘋果首款自研基帶芯片C1亮相

2 月 20 日消息，蘋果剛剛發(fā)布了 iPhone 16 家族最新成員 —— iPhone 16e。該機(jī)搭載了蘋果首款自研基帶芯片 C1。蘋果宣稱這款芯片是“iPhone 迄今能效最高的調(diào)制解調(diào)器”，這是蘋果結(jié)束對(duì)高通 5G芯片依賴的舉措。

發(fā)表于：2/20/2025 10:22:05 AM

中國(guó)科學(xué)院在集成光量子芯片領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

2 月 19 日消息，中國(guó)科學(xué)院今日宣布，上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所在集成光量子芯片領(lǐng)域取得重要進(jìn)展。該研究團(tuán)隊(duì)采用“搭積木”式的混合集成策略，將 III-V 族半導(dǎo)體量子點(diǎn)光源與 CMOS 工藝兼容的碳化硅（4H-SiC）光子芯片異質(zhì)集成，構(gòu)建出新型混合微環(huán)諧振腔。

發(fā)表于：2/20/2025 10:12:03 AM

Intel高層認(rèn)為晶圓廠控制權(quán)交給臺(tái)積電是個(gè)可怕的錯(cuò)誤

2月18日消息，近期關(guān)于英特爾的傳聞不斷，有說英特爾將與臺(tái)積電成立合資制造企業(yè)的，也有稱英特爾將被博通和臺(tái)積電“瓜分”的，基本都是各種唱衰英特爾聲音。對(duì)此英特爾公司硅光子集團(tuán)首席項(xiàng)目經(jīng)理Joseph Bonetti 感到非常不爽，并在LinkedIn上發(fā)文稱，英特爾將憑借Intel 18A與High-NA EUV重新奪回工藝技術(shù)領(lǐng)先地位，其晶圓代工業(yè)務(wù)也將贏得大客戶，而如果將英特爾晶圓代工廠的控制權(quán)交給臺(tái)積電，將會(huì)是一個(gè)可怕的、令人沮喪的錯(cuò)誤。

發(fā)表于：2/20/2025 10:03:13 AM

韓國(guó)將建全球最大AI數(shù)據(jù)中心

2 月 19 日消息，據(jù)《首爾經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》今日?qǐng)?bào)道，韓國(guó)正在建設(shè)世界最大規(guī)模的 AI 數(shù)據(jù)中心。這座數(shù)據(jù)中心將擁有 3GW 電力容量，預(yù)計(jì)總投資高達(dá) 350 億美元

發(fā)表于：2/20/2025 9:53:19 AM

2027年全固態(tài)電池逐步進(jìn)入主流應(yīng)用階段

作為新能源汽車市場(chǎng)的新標(biāo)桿,多家頭部主機(jī)廠正寄望于固態(tài)電池技術(shù)突破，以持續(xù)強(qiáng)化產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。 “在固態(tài)電池方面的進(jìn)展，公司計(jì)劃于4月（廣汽）科技日上具體披露。”2月19日，廣汽埃安方面告訴財(cái)聯(lián)社記者。記者得到的一份建設(shè)項(xiàng)目環(huán)境影響報(bào)告顯示，編號(hào)為79szn9的廣汽埃安新型電池（固態(tài)、圓柱）技術(shù)開發(fā)項(xiàng)目本月已完成審批。

發(fā)表于：2/20/2025 9:45:01 AM

三星前高管因涉嫌向中企泄露18nm DRAM工藝被判刑7年

2月19日，韓國(guó)首爾中央地方法院第25刑事部（主審法官池貴淵）以違反《防止信息泄漏及保護(hù)產(chǎn)業(yè)技術(shù)相關(guān)法律》為由，對(duì)因涉嫌向中國(guó)企業(yè)泄露韓國(guó)核心半導(dǎo)體技術(shù)的三星電子前高管金某一審判處有期徒刑7年。同時(shí)被起訴的原分包商員工方先生和金先生也分別被判處2年6個(gè)月有期徒刑和1年6個(gè)月有期徒刑。

發(fā)表于：2/20/2025 9:35:37 AM

英偉達(dá)28%營(yíng)收來自新加坡但實(shí)際商品交付僅1%

2月19日消息，據(jù)彭博社報(bào)道，在今年1月底美國(guó)展開對(duì)于DeepSeek 是否通過新加坡的中介違規(guī)獲得對(duì)華禁售的英偉達(dá)（Nvidia） AI GPU的調(diào)查之后，新加坡貿(mào)易和工業(yè)部第二部長(zhǎng) Tan See Land 近日發(fā)布聲明稱，英偉達(dá)在新加坡的所有銷售額中只有約1%產(chǎn)品真正進(jìn)入了該國(guó)。

發(fā)表于：2/20/2025 9:28:35 AM

龍芯新一代8核桌面處理器3B6600上半年流片

2月17日，龍芯中科披露的投資者關(guān)系活動(dòng)記錄表顯示，該公司正在研制下一代桌面芯片3B6600。根據(jù)此前官方公開的資料，龍芯3B6600將繼續(xù)使用成熟工藝，架構(gòu)內(nèi)核升級(jí)為全新的LA864，共有八個(gè)核心，同頻性能相比LA664架構(gòu)的龍芯3A6000大幅提升30%左右，躋身世界領(lǐng)先行列。龍芯3B6600的主頻預(yù)計(jì)仍然是2.5GHz，但是通過單核睿頻技術(shù)，一般可以再提升20%，將有望達(dá)到3.0GHz。

發(fā)表于：2/20/2025 9:15:33 AM

SEMI：2024年全球半導(dǎo)體硅片營(yíng)收115億美元

2月19日消息，國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）統(tǒng)計(jì)，2024年全球半導(dǎo)體硅晶圓（半導(dǎo)體硅片）出貨量達(dá)1.2266億平方英寸（million square inch，MSI），同比下滑減2.7%，整體銷售額達(dá)115億美元，同比減少6.5%，創(chuàng)4年來新低。

發(fā)表于：2/20/2025 9:08:05 AM

Omdia：是無(wú)線接入網(wǎng)RAN市場(chǎng)衰退期結(jié)束

發(fā)表于：2/20/2025 8:59:15 AM

大聯(lián)大品佳集團(tuán)推出基于達(dá)發(fā)科技（Airoha）產(chǎn)品的LE Audio耳機(jī)方案

　　2025年2月19日，致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的國(guó)際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下品佳推出基于達(dá)發(fā)科技（Airoha）AB1571D、AB1571AM和AB1565AM產(chǎn)品的LE Audio耳機(jī)方案。

發(fā)表于：2/19/2025 11:35:14 PM

第 4 代碳化硅技術(shù)：重新定義高功率應(yīng)用的性能和耐久性

　　本白皮書重點(diǎn)介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應(yīng)用而設(shè)計(jì)的第 4 代碳化硅（SiC） MOSFET 技術(shù)。基于在碳化硅創(chuàng)新領(lǐng)域的傳承，Wolfspeed 定期推出尖端技術(shù)解決方案，重新定義行業(yè)基準(zhǔn)。在第 4 代發(fā)布之前，第 3 代碳化硅 MOSFET 憑借多項(xiàng)重要設(shè)計(jì)要素的平衡，已在廣泛用例中得到驗(yàn)證，為硬開關(guān)應(yīng)用的全面性能設(shè)定了基準(zhǔn)。

發(fā)表于：2/19/2025 10:35:00 PM

瑞薩推出RA4L1 MCU，超低功耗、集成電容式觸控、段碼LCD和強(qiáng)大安全功能

　　2025 年 2 月 19 日，中國(guó)北京訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出RA4L1微控制器（MCU）產(chǎn)品群，包含14款集成超低功耗、先進(jìn)安全功能和段碼LCD支持的全新產(chǎn)品。基于支持TrustZone的80MHz Arm Cortex-M33處理器，新款MCU在性能、功能和節(jié)能方面達(dá)到了行業(yè)先進(jìn)水平，為水表、智能鎖、物聯(lián)網(wǎng)傳感器應(yīng)用等領(lǐng)域的設(shè)計(jì)人員提供更加卓越的解決方案選擇。

發(fā)表于：2/19/2025 10:19:29 PM

新款R&S SMW200A 和R&S SMM100A 矢量信號(hào)發(fā)生器的EVM 性能顯著提升

?　　羅德與施瓦茨（以下簡(jiǎn)稱“R&S”）升級(jí)了業(yè)界領(lǐng)先的R&S SMW200A矢量信號(hào)發(fā)生器及其同系列中端產(chǎn)品R&S SMM100A。升級(jí)后的R&S SMW200A在誤差矢量幅度（EVM）性能方面有了大幅提升，成為5G NR FR3 研發(fā)測(cè)試和高要求射頻應(yīng)用（如功放測(cè)試）的理想之選。該儀器還添加了射頻線性化軟件新選件，通過數(shù)字預(yù)失真來優(yōu)化高輸出功率下的EVM。同時(shí)，R&S SMM100A也進(jìn)行了升級(jí)，提升了 EVM性能。

發(fā)表于：2/19/2025 9:54:30 PM

CGD 獲得3,200萬(wàn)美元融資，以推動(dòng)在全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的增長(zhǎng)

氮化鎵（GaN）功率器件的領(lǐng)先創(chuàng)新者 Cambridge GaN Devices (CGD) 已成功完成3,200萬(wàn)美元的C輪融資。

發(fā)表于：2/19/2025 2:07:40 PM