這是一款理想的甲乙類功率放大器，具有完善的過流保護(hù)和精確的增益，其功率達(dá)到100W，頻寬從DC～100kHz。附圖是其完整電路。

　　輸出級采用功率MOSFET管，由滿擺輸出（rail-mil）高速運(yùn)放驅(qū)動：兩者構(gòu)成跨導(dǎo)放大器，其輸出電流與輸入電壓成正比；電路高端和低端相對于正負(fù)電源作對稱連接。

　　為了工作在甲乙類，驅(qū)動信號是在高位與低位間對稱的非線性電流。

　　為了改善輸出特性，設(shè)置了反饋電路和PI（比例/積分）控制電路；利用PI電路的積分器，把因為負(fù)荷變化和內(nèi)部參數(shù)變化引起的增益誤差及DC偏移控制在最小狀態(tài)。整個電路構(gòu)成從直流信號起放大100倍的反相放大器。

　　可獲得從±2V～±200V的輸出  ：  

　　在200Ω負(fù)荷輸出400Vp-p，可獲得從lkHz～100kHz的平直特性，而高次諧波僅為0.05％。

　　在由高速運(yùn)放和MOSFET構(gòu)成的跨導(dǎo)放大器中，用R19把Tr7漏極電流變換為電壓信號反饋到IC4的反相輸入端：該運(yùn)放的正、反相輸入端被分別接到正電源端。

　　D6、D17構(gòu)成從Tr7漏極到Tr3集電極的反饋環(huán)路。以防止在輸入信號過大時Tr7飽和；C6為相位補(bǔ)償電容。

　　高電壓輸出的放大器，必須對其輸出端短路進(jìn)行保護(hù)，以免損壞輸出管。對于跨導(dǎo)放大器的輸出級來說。可設(shè)置過電流保護(hù)。因為輸出電流和輸入電壓成正比，只要限制輸入電壓就行了，這里對峰值和平均值的過電流分別進(jìn)行保護(hù)。

　　峰值保護(hù)：利用D12、D13、D1l、D16對IC3的輸出鉗位，以限制流過R22的電流。由于D11、D16的容性成分Ci與R32并連，會惡化IC3的頻率特性，故加入了D12、D13來防止這種情況。圖中的D6、D12、D13要選擇Ci小的品種。

　　平均值保護(hù)：利用R5（R1）、C1（C3）把流過Tr3（T16）的IE變換為電壓。當(dāng)這個電壓值超過穩(wěn)壓二極管D1（D2）的穩(wěn)壓值時Tr9（TrlO）導(dǎo)通，以限制流過R22的電流。

　　頻率特性依靠反饋環(huán)來修正。由于負(fù)荷變化引起頻率特性的變化，通過OUT→H→IC2→IC3→R22環(huán)路加以抑制。IC2、IC3的電路。其相位延遲在10MHz附近為“0”。增益曲線平坦。IC2、IC3分別選用增益帶寬積達(dá)100MHz和290MHz的運(yùn)放。

　　為了提高負(fù)載調(diào)整率，保持輸出電壓穩(wěn)定，在電路輸入端加入了由ICl和C15構(gòu)成的積分器。從輸出級引入了反饋，積分常數(shù)（C15）與負(fù)載容量成正比，使整個電路在0.003μF～0.22μF容性負(fù)載時也非常穩(wěn)定。頻率特性的峰值保持在一3dB以內(nèi)。