日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出首款采用PowerPAIR® 6mmx3.7mm封裝和TrenchFET Gen III技術的非對稱雙通道TrenchFET®功率MOSFET --- SiZ710DT，新器件比前一代器件的導通電阻減小43%，同時具有更高的最大電流并提高效率。SiZ710DT在一個小尺寸封裝中整合了低邊和高邊MOSFET，具有業界同類器件中最低的導通電阻，比DC-DC轉換器中使用兩個分立器件的方案能節省很多空間。
Vishay將在Electronica 2010的A5-143展位進行產品演示，向來賓展示在同步降壓電路中該產品的優異性能和PowerPAIR封裝節省空間的功效。
在PowerPAIR封裝出現之前，設計者只能使用兩個單獨的器件來達到系統電源、POL、低電流DC/DC，以及筆記本電腦、VRM、電源模塊、圖形卡、服務器和游戲機所需的低導通電阻和更高的最大電流。SiZ710DT的性能規格使設計者能用SiZ710DT比兩個分立 PowerPAK 1212-8 器件小1/3，或是比兩個分立SO-8 器件小2/3的一個器件完成設計，節省方案成本和空間，包括兩個分立MOSFET之間的PCB間隙和標注面積。此外，在更低電流和更低電壓應用中替換SO-8器件還可以提高效率。
一片PowerPAK 1212-8或SO-8的導通電阻可以分別低至5mΩ或4mΩ。然而，SiZ710DT的低邊Channel 2 MOSFET利用了非對稱結構在優化空間上的效果，在10V和4.5V下的導通電阻低至3.3mΩ和4.3mΩ，在+25℃和+70℃下的最大電流為30A和24A。另外，高邊Channel 1 MOSFET的導通電阻也有改善，在10V和4.5V下分別為6.8mΩ和9.0mΩ。
由于兩個MOSFET已經在PowerPAIR封裝內部連接，布線變得更加簡單，同時也減小了PCB印制的寄生電感，提高了效率。此外，SiZ710DT的引腳進行了精心布置，輸入引腳排在一側，輸出引腳排在另一側。
器件通過Rg和UIS的所有測試，符合RoHS指令2002/95/EC，并滿足IEC 61249-2-21的無鹵素規定。
器件規格表：
|
通道 |
VDS |
VGS |
RDS(ON) @ 10 V |
RDS(ON) @ 4.5 V |
Qg (typ) |
ID @ TA = 25 °C |
ID @ TA = 70 °C |
|
1 |
20 V |
± 20 V |
6.8 mΩ |
9.0 mΩ |
6.9 nC |
16 A |
15 A |
|
2 |
20 V |
± 20 V |
3.3 mΩ |
4.3 mΩ |
18.2 nC |
30 A |
24 A |
新款SiZ710DT TrenchFET功率MOSFET現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。