????? 紐倫堡,2008年7月8日 - 賽米控" title="賽米控">賽米控為現(xiàn)有SEMITOP? IGBT產(chǎn)品線推出一種新的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)" title="拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)">拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),用于三電平" title="三電平">三電平逆變器.該結(jié)構(gòu)將IGBT技術(shù)與較低的開關(guān)和傳導(dǎo)損耗相結(jié)合,與兩電平逆變器" title="電平逆變器">電平逆變器相比,損耗減少60%.與半橋" title="半橋">半橋模塊相比,該SEMITOP?模塊是專為低換流電感率而設(shè)計(jì).DC/AC轉(zhuǎn)換效率得到了提高,可用于功率等級為5-80kVA的UPS.

????? 三電平逆變器是一種符合成本效益的解決方案,因?yàn)橛靡粋€單一模塊取代標(biāo)準(zhǔn)兩電平半橋結(jié)構(gòu)中的兩個模塊.三電平逆變器在結(jié)構(gòu)上由一系列串聯(lián)的 IGBT來實(shí)現(xiàn),這樣有可能獲得更高的反向IGBT阻斷電壓.通過連接三個這樣的模塊,有可能實(shí)現(xiàn)一個完整的具有最高電氣和熱效率的三相三電平逆變器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu).由于其正弦輸出波形,有可能減少諧波和所需的輸出濾波器.與標(biāo)準(zhǔn)兩電平半橋逆變器相比,三電平逆變器的整體尺寸和成本都減少了25%.

????? 用于三電平逆變器的SEMITOP?模塊.該結(jié)構(gòu)將IGBT技術(shù)與較低的開關(guān)和導(dǎo)通損耗相結(jié)合,與兩電平逆變器相比,損耗減少60%.

???? ?600V的IGBT反向阻斷電壓下,額定電流為20-150A.在電源應(yīng)用中,模塊運(yùn)行時(shí)的輸入功率在5-80kVA.用于三電平逆變器的IGBT有兩種封裝:SEMITOP? 3(55x31mm2),用于額定電流為20-50A的模塊和SEMITOP? 4(60x55mm2),用于額定電流為75-150A的模塊.

??????SEMITOP?是一款絕緣的功率模塊,高度只有12mm.由于采用了無底板技術(shù),可以被迅速安裝到復(fù)雜電路中.而且只需一顆螺絲即可將其固定在散熱器上,然后自動焊接到 PCB上.壓接技術(shù)和單螺絲安裝確保了低熱阻,而無機(jī)械應(yīng)力設(shè)計(jì)確保了高功率循環(huán)能力.單螺絲安裝使得安裝快捷.經(jīng)過17種不同的認(rèn)證和超過10000小時(shí)的測試,模塊性能得到了證實(shí).