???? 比利時(shí)研究機(jī)構(gòu)IMEC宣布，開發(fā)出了太陽(yáng)能電池用50μm厚結(jié)晶硅" title="結(jié)晶硅">結(jié)晶硅晶圓的制造方法。其最大的特點(diǎn)在于，不同于以往用鋼絲鋸（線鋸的一種）切割硅碇的技術(shù)，而是利用硅與金屬間的熱膨脹差異來(lái)剝?nèi)」璨虼耍粫?huì)產(chǎn)生由切屑等造成的不必要的浪費(fèi)。IMEC表示，該技術(shù)可大大降低結(jié)晶硅類太陽(yáng)能電池單元的制造成本。該公司計(jì)劃在2008年7月15～17日于美國(guó)舊金山舉辦的展會(huì)“Semicon West?2008”上首次發(fā)布該技術(shù)。??
?????IMEC介紹了此次的硅晶圓制造方法。首先，在較厚的結(jié)晶硅晶圓上用絲網(wǎng)印刷機(jī)印制金屬薄膜。然后，將其放到帶式輸送機(jī)" title="帶式輸送機(jī)">帶式輸送機(jī)上入爐，在高溫下退火（燒結(jié)）。隨著該晶圓的溫度下降，金屬層與硅層的熱膨脹率差異會(huì)使硅層產(chǎn)生變形，出現(xiàn)龜裂并沿著硅層表面擴(kuò)大。此時(shí)，如果剝離金屬層，硅層的表面部分也會(huì)沿著龜裂一起剝落。然后，通過(guò)蝕刻去除金屬層，就可以只留下非常薄的硅箔。??
?????作為坯料的硅晶圓，既可采用單晶硅，也可采用多晶硅" title="多晶硅">多晶硅，而且，還可從較厚的硅晶圓上反復(fù)剝?nèi)」璨MEC表示，“已經(jīng)可以在僅有25cm2的略小面積的硅晶圓上制作出30μm" title="30μm">30μm厚的硅箔”。??
?????另外，用這種硅箔試制面積為1cm2的太陽(yáng)能電池單元，發(fā)現(xiàn)即使不形成背面保?o膜，或者不進(jìn)行用于高效率采光的表面處理，也能得到10％的單元轉(zhuǎn)換效率。“如果進(jìn)行適當(dāng)?shù)谋砻嫣幚恚瑒t可實(shí)現(xiàn)更高的效率”（IMEC）。而且，由于硅箔制造所用的絲網(wǎng)印刷機(jī)及加熱爐可使用現(xiàn)有的裝置，因此還能以低成本構(gòu)筑生產(chǎn)線。?
?????IMEC介紹了此次的硅晶圓制造方法。首先，在較厚的結(jié)晶硅晶圓上用絲網(wǎng)印刷機(jī)印制金屬薄膜。然后，將其放到帶式輸送機(jī)" title="帶式輸送機(jī)">帶式輸送機(jī)上入爐，在高溫下退火（燒結(jié)）。隨著該晶圓的溫度下降，金屬層與硅層的熱膨脹率差異會(huì)使硅層產(chǎn)生變形，出現(xiàn)龜裂并沿著硅層表面擴(kuò)大。此時(shí)，如果剝離金屬層，硅層的表面部分也會(huì)沿著龜裂一起剝落。然后，通過(guò)蝕刻去除金屬層，就可以只留下非常薄的硅箔。??
?????作為坯料的硅晶圓，既可采用單晶硅，也可采用多晶硅" title="多晶硅">多晶硅，而且，還可從較厚的硅晶圓上反復(fù)剝?nèi)」璨MEC表示，“已經(jīng)可以在僅有25cm2的略小面積的硅晶圓上制作出30μm" title="30μm">30μm厚的硅箔”。??
?????另外，用這種硅箔試制面積為1cm2的太陽(yáng)能電池單元，發(fā)現(xiàn)即使不形成背面保?o膜，或者不進(jìn)行用于高效率采光的表面處理，也能得到10％的單元轉(zhuǎn)換效率。“如果進(jìn)行適當(dāng)?shù)谋砻嫣幚恚瑒t可實(shí)現(xiàn)更高的效率”（IMEC）。而且，由于硅箔制造所用的絲網(wǎng)印刷機(jī)及加熱爐可使用現(xiàn)有的裝置，因此還能以低成本構(gòu)筑生產(chǎn)線。?
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