恩智浦" title="恩智浦">恩智浦半導體（NXP Semiconductor，由飛利浦" title="飛利浦">飛利浦成立的獨立半導體公司" title="半導體公司">半導體公司）今天推出BLC7G22L（S）-130基站功率晶體管，這是恩智浦應用其業界領先的第七代橫向擴散金屬氧化物半導體（LDMOS）技術的首款產品，專為高功耗和Doherty放大器應用進行了優化。恩智浦的第七代LDMOS技術可以實現目前功效最高的LDMOS解決方案，與上一代產品相比，功率密度" title="功率密度">功率密度提高了20%，功率效率增長了兩個百分點，而Rth熱阻則降低25%以上。恩智浦第七代LDMOS基站前期晶體管的最初原型將于2008年美國喬治亞州亞特蘭大舉辦的IEEE MTT-S國際微波研討會期間進行展示。?

恩智浦RF功率產品線市場部門經理Mark Murphy表示：“隨著移動電信運營商開始提供基于HSDPA和LTE等技術的超高速服務，無線網絡基礎設施的功率需求也已達到空前的水平。恩智浦如今利用第七代LDMOS技術，推出業界性能最高的LDMOS基站晶體管，其功率增加效率遠高于目前市場上的任何產品。”? ?

第七代LDMOS的性能創下新的紀錄，達到3.8GHz，且輸出電容減少25%，可實現寬頻輸出匹配，從而設計出更加簡單、性能更好的Doherty放大器。Doherty已經成為新型基站發射器的首選放大器架構，幫助無線網絡運營商提高效率并降低成本。?

ABI Research射頻（RF）元件與系統研究總監Lance Wilson表示：“隨著數據驅動型服務逐漸成為無線基礎設施的更重要的組成部分，一流的RF功率放大器性能就成為必需。恩智浦的第七代LDMOS技術，憑借其在功率密度和熱性能方面取得的重大進步，理當成為公司進入相關應用頂級設備市場時的重要資產。”?

供貨

恩智浦的第七代LDMOS新型基站晶體管將于2008年6月15至20號在MTT-S國際微波研討會的第523號展位進行展示。BLC7G22L（S）-130的工程樣片將于2008年第三季度問世。基于恩智浦第七代LDMOS技術的其他產品將于2009年推出。?

有關恩智浦第七代LDMOS技術的其他信息，請參考恩智浦半導體" title="恩智浦半導體">恩智浦半導體RF功率產品目錄，網址為 http://www.rfpower.nl/cdrom。?

關于恩智浦半導體（NXP）

恩智浦是飛利浦在50多年前創立的全球十強半導體公司。公司總部位于歐洲，在全球超過20個國家擁有37,000名雇員，2007年公司營業額達到63億美元。恩智浦提供半導體、系統解決方案和軟件，為手機、個人媒體播放器、電視、機頂盒、智能識別應用、汽車以及其它廣泛的電子設備提供更好的感知體驗。關于恩智浦的新聞請見www.nxp.com。