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黃仁勛確認三星HBM3e未通過英偉達認證

但否認與功耗和散熱問題有關
2024-06-05
來源:芯智訊
關鍵詞: 三星 HBM3E 英偉達

6月5日消息,英偉達(NVIDIA)CEO黃仁勛在Computex Taipei 2024的全球媒體記者會上首次公開表示,三星先進的高帶寬內存(HBM)芯片尚未通過進行英偉達的官方認證。而英偉達的認證是三星開始供應HBM3和HBM3e之前的最后一步,這對于英偉達發展人工智能(AI)平臺相當重要。

此前有消息指出,三星最新的HBM模塊未通過英偉達認證,是因為存在過熱和功耗問題。三星隨后否認了其HBM產品有過熱和功耗的問題,并表示其最先進的HBM3e產品的發展順利進行當中。

黃仁勛最新的回應稱,三星的“這些產品尚未通過任何認證,使得這些HBM產品尚未完全進入部署,我們還需要進行工程設計的工作,但是這目前還沒完成?!辈⑽幢硎救荋BM存在過熱和功耗問題。

由于現階段三星仍然是全球最大的內存芯片生產商,盡管它在HBM生產能力方面落后。但是三星表示,已開始量產其8層堆疊HBM3e產品,并將很快開始量產12層堆疊的產品,這將使得2024年HBM供應量預計將比2023年增加至少三倍。

當前,韓國的SK海力士在HBM3和HBM3e芯片方面處于領先地位,其目前也是英偉達HBM3和HBM3e的主要供應商。該公司的芯片產能到2025年都已被預訂滿,這使得SK海力士計劃斥資146億美元,建造新的生產基地以滿足需求。三星也計劃加緊研發腳步,希望能進一步拿回在內存市場領先的地位。

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