據媒體報道，佳能負責新型光刻機的高管在接受采訪時表示，采用納米壓印技術的佳能光刻設備FPA-1200NZ2C目標今年或明年出貨。
去年10月中旬，佳能公司宣布推出基于納米壓印的FPA-1200NZ2C，佳能表示，該設備采用不同于復雜的傳統光刻技術的方案，可以制造5nm芯片。
佳能表示，這套設備的工作原理和ASML的光刻機不同，并不利用光學圖像投影的原理將集成電路的微觀結構轉移到硅晶圓上，而是更類似于印刷技術，直接通過壓印形成圖案。
相較于目前已商用化的EUV光刻技術，盡管納米壓印技術的芯片制造速度要比傳統光刻方式慢，但鎧俠在2021年就曾表示，納米壓印技術可大幅減少耗能，并降低設備成本。
原因在于納米壓印技術的制程較為簡單，耗電量可壓低至EUV技術的10%，并讓設備投資降低至僅有EUV設備的40%。
另外，納米壓印設備還可以使得芯片制造商降低對于ASML的EUV光刻機的依賴，使得臺積電、三星等晶圓代工廠可以有第二個路線選擇，可以更靈活的為客戶生產小批量芯片。
不過佳能CEO三井藤夫曾在采訪中表示，佳能可能無法將這些設備出口到中國，“我的理解是，任何超過14nm技術的出口都是被禁止的，所以我認為我們無法銷售。”
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