盡管當前全球半導體產業處于下行周期，總體市場氛圍需求不振，但依然存在IGBT等少數供不應求的領域。消息稱，英飛凌、意法半導體國外大廠IGBT交期均在50周以上，產能緊張或將持續至2025年。而這也為國產IGBT的發展提供了良機。上海陸芯電子科技有限公司于6月16日舉辦了“2023陸芯新品發布&功率半導體行業分享會”，邀請功率半導體產業鏈同仁共同討論新一代功率半導體的技術革命和創新發展。隨著IGBT市場的不斷擴大以及國產IGBT企業技術上取得突破，我國IGBT正在駛上發展的快車道。

　　IGBT持續供不應求，為國產IGBT發展提供良機

　　全球范圍內的產能緊張為國產IGBT發展提供了良機。陸芯作為專業從事最新一代功率半導體研發、生產和銷售的高新技術企業，2021年即發布了IGBT微溝槽Fine-Pitch系列、Hybrid系列在內的多款產品，取得良好的市場口碑。本次活動現場，陸芯再次推出系列新品，包括陸芯Gen2和Gen3工藝平臺下的IGBT產品，相比第一代產品性能上得到進一步提升；陸芯業內領先的基于12英寸晶圓生產線的Gen2 IGBT產品，該產品已經成功定型量產；通過AEC-Q101認證的車規級IGBT單管級產品，含AU40N120T3等系列產品。

　　此次陸芯推出的產品從性能到穩定性，都得到進一步提升，比如針對特定應用場景的T3系列。該產品為1200V短路增強型IGBT，進行了特別的設計和工藝調教，適用于電機驅動/工業變頻等中低頻、對短路有更高要求的應用領域，可滿足用戶的更高要求。

　　得益于新能源汽車、軌道交通、智能電網等各領域的利好，國產替代將會是IGBT行業未來一段時期發展的主旋律之一。

　　技術不斷演進，國產性能不弱于國際龍頭

　　根據陸芯科技首席科學家林青博士的介紹，陸芯的產品技術從Gen1一直延伸到Gen4。Gen1、Gen2、Gen3技術都已經有產品實現大規模量產，同時陸芯在積極研發Gen4技術。據了解，自陸芯2017年成立以來，一直致力于完整的IGBT技術開發平臺打造，產品采用自主創新的最新一代溝槽柵場截止IGBT平臺設計與工藝，已具備比肩國際一線品牌的高性能與高可靠性。

　　在技術方面，陸芯的技術團隊擁有多年美國一流功率半導體公司的IGBT研發經驗，所開發的IGBT產品與Infineon最新的第7代微溝槽TrenchFS技術相當。陸芯目前還控股一條IGBT模塊封裝線，具備年產120萬只工業級模塊的能力，可封裝各種類型的IGBT模塊。專利方面，截至2023年2月，陸芯共計申請知識產權70項，獲得授權專利50項，另有多項技術創新陸續申請專利。