2023年2月6日，工信部裝備工業(yè)一司相關負責人就《關于組織開展公共領域車輛全面電動化先行區(qū)試點工作的通知》答記者問時表示，預計2023年新能源汽車產(chǎn)銷仍將保持較快增長態(tài)勢。

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新能源汽車是全球汽車產(chǎn)業(yè)轉型升級的主要方向，也是我國實現(xiàn)二氧化碳減排目標和產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的戰(zhàn)略選擇。在黨中央、國務院的堅強領導下，經(jīng)過行業(yè)上下多年不懈努力，我國新能源汽車發(fā)展取得巨大成就，掌握了電池、電機、電控等核心技術，建立涵蓋基礎材料、零部件、制造裝備等全鏈條產(chǎn)業(yè)體系，形成完善的產(chǎn)業(yè)生態(tài)，為未來發(fā)展打下了堅實基礎。綜合前期開展的調(diào)研工作和有關各方意見，預計今年新能源汽車產(chǎn)銷仍將保持較快增長態(tài)勢。

新能源電動汽車充電樁其功能類似于加油站里面的加油機，可以固定在地面或墻壁，安裝于公共建筑（公共樓宇、商場、公共停車場等）和居民小區(qū)停車場或充電站內(nèi)，可以根據(jù)不同的電壓等級為各種型號的電動汽車充電。新能源電動汽車充電樁的輸入端與交流電網(wǎng)直接連接，輸出端都裝有充電插頭用于為電動汽車充電。

IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷追Q電力電子裝置的“CPU”，采用IGBT進行功率變換，能夠提高用電效率和質(zhì)量，具有高效節(jié)能和綠色環(huán)保的特點，是解決能源短缺問題和降低碳排放的關鍵支撐技術，被譽為綠色能源的“核芯”。

目前國內(nèi)的晶閘管、晶圓片部分二極管、防護器件等仍以4寸線為主流；平面可控硅芯片、肖特基二極管、IGBT模塊配套用高電壓大通流整流芯片，低電容、低殘壓等保護器件芯片和部分MOSFET等以6寸線為主流。IGBT是影響電動車性能的關鍵技術，其成本占整車成本的5％左右。

由工采網(wǎng)代理的臺灣茂矽電子推出的IGBT晶圓 － P81MV020NL0011P是一款1200V、25A、FS工藝的6寸IGBT晶圓片；1200V壕溝和現(xiàn)場停止技術；低開關損耗；正溫度系數(shù)；簡單的平行技術。廣泛應用在中等功率驅動器、1200V光伏、電焊機、工業(yè)縫紉機、伺服馬達等等領域。

茂矽電子成立于1987年，晶圓制造長期聚焦在功率半導體元件及電源管理IC領域，以MOS管、IGBT晶圓，模擬芯片、二極管等產(chǎn)品為主，打破國外壟斷現(xiàn)象。

在IGBT晶圓應用領域，臺灣茂矽電子便是其中的佼佼者之一。

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