氮化鎵比硅更適合做高頻功率器件，可顯著減少電力損耗和散熱負載，有體積、功率密度方面的明顯優(yōu)勢。應用于變頻器、穩(wěn)壓器、變壓器、無線充電等領域，可以有效降低能源損耗。

　　從第一款氮化鎵快充電源量產到如今成百上千款氮化鎵新品涌入市場，短短幾年，整個氮化鎵快充電源市場的容量翻了百倍，昔日只有個別第三方配件品牌敢于嘗試的氮化鎵技術，如今便已成為了一線手機、筆電品牌的必備產品，不得不感嘆技術迭代的魅力。

　　在氮化鎵快充市場不斷拓展的過程中，電源技術水平也在不斷提升，起初的氮化鎵快充電源一般需要采用控制器+驅動+氮化鎵功率器件組合設計，不僅電路布局較為復雜，產品開發(fā)難度相對較大，而且成本也比較高。

　　作為業(yè)內領先的電源芯片廠商，PI基于其電源芯片的技術優(yōu)勢，率先推出了內置氮化鎵功率器件的高集成電源芯片，合封氮化鎵芯片的概念也因此誕生。

　　隨后幾年，國產電源芯片企業(yè)不僅推出了氮化鎵控制器芯片，而且大部分控制器還支持直驅氮化鎵功率器件。

　　諸多電源芯片廠商紛紛在合封氮化鎵芯片領域發(fā)力，豐富了高集成度的氮化鎵電源芯片市場，在一顆芯片內集成了PWM控制器、驅動器以及氮化鎵功率器件，大大精簡了電源產品開發(fā)過程的電路設計，并有效降低了BOM成本，有利于促進氮化鎵快充技術的普及。

　　由工采網代理的四川美闊推出的一款GaN/氮化鎵-MGZ31N65芯片適用于65W快充電源設計；芯片內部集成650V 250mΩ氮化鎵開關管、控制器、驅動器、高壓啟動電路和保護單元。

　　采用130KHz開關頻率，可以有效縮小充電器的變壓器體積，得到性能和成本的平衡，同時集成高壓啟動電路、軟啟動電路，以及用于超寬輸出范圍的分段式供電電路。

　　在突發(fā)和故障模式下具有超低的工作電流，最高工作頻率為175KHz，支持抖頻改善EMI性能，支持谷底開通，輕載和空載模式以突發(fā)模式運行以降低功耗，提高效率；內置過熱、過流、過壓和輸出短路、次級開路保護功能，采用PQFN8×8封裝形式，可通過PCB銅箔散熱，簡化散熱要求，降低溫升。

　　此外，還推出了適用于氮化鎵快充的同步整流控制器以及協(xié)議芯片，為客戶開發(fā)氮化鎵快充提供整套方案。為客戶提供最優(yōu)解，進一步提高PD快充的功率密度，提高GaN系統(tǒng)可靠性。

　　美闊推出的65W1C快充電源集成氮化鎵PD方案，將高性能多模式反激控制器、氮化鎵驅動、氮化鎵開關管、供電和保護等電路集成在一顆散熱增強的PQFN8*8封裝內部。

　　極大減少了外圍元器件數量，PCBA面積較少50%以上，并消除傳統(tǒng)驅動走線寄生參數對高頻開關的影響，使得氮化鎵的性能得以進一發(fā)揮。

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