氮化鎵是氮和鎵化合物；作為一種全新的半導體材料它具有熱導率高、耐高溫、高硬度、高兼容性等一系列的特性。在早期開發(fā)中氮化鎵材料被應用于發(fā)光二極管、燈具，新能源等等方面。

　　氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，得益于充電行業(yè)的新興技術，隨著技術突破成本得到控制，目前氮化鎵還被廣泛運用到消費類電子等領域備受廠商和用戶的追捧。

　　應用在充電器可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高；氮化鎵充電器的最大優(yōu)點就是支持體積更小的變壓器以及其他電感元件，與此同時，還具有優(yōu)秀的散熱性能。所以，相較于傳統(tǒng)充電器，氮化鎵充電器能夠有效縮小體積、降低發(fā)熱并提高效率。

　　與普通半導體的硅材料相比，氮化鎵的帶隙更寬且導熱好，能夠匹配體積更小的變壓器和大功率電感，所以氮化鎵充電器有體積小、效率高、更安全等優(yōu)勢。近來的旗艦手機平板為了實現(xiàn)更快的充電速度，充電器功率都比較大，40W50W充電器非常普遍。

　　氮化鎵擁有更寬的帶隙，寬帶隙也意味著，氮化鎵能比硅承受更高的電壓，擁有更好的導電能力，相同體積下，采用氮化鎵技術的充電器比普通充電器輸出效率更高。改用氮化鎵技術后，充電器的元器件可以更小，充電器體積大幅縮?。煌瑫r氮化鎵充電器也能保持高效和低溫的工作狀態(tài)，安全性更好。

　　在工業(yè)用電領域，相比硅基、CoolMOS和碳化硅，氮化鎵器件能實現(xiàn)更優(yōu)的性價比，并滿足高端電源對應用環(huán)境和產品規(guī)格的需求；工業(yè)上采用MOCVD和HVPE設備來外延生長。

　　推薦一款由工采網代理的四川美闊GaN/氮化鎵 - MGZ31N65具備特性：

　　（1）650V, 6.5A, RDS (on)(typ.)= 250mΩ@VGS = 8V

　　（2）非常低的QRR

　?。?）減少交叉損失

　　（4）符合RoHS標準和無鹵素要求的包裝

　　貼片封裝采用銅夾片封裝技術來代替內部的封裝引線；可以減少寄生損耗，優(yōu)化電氣和熱性能，并提高可靠性；封裝的氮化鎵器件提供頂部或底部散熱兩種配置，使其更通用，并有助于進一步改善散熱。

　　除了C端消費電子，氮化鎵在5G領域的應用也有很大潛力，5G時代需要很多的微基站和中間設備，這些設備也需要更高效的供電能力，而氮化鎵充電器體積小效率高的優(yōu)勢會很明顯。

更多信息可以來這里獲取==>>電子技術應用-AET<<