臺積電已經(jīng)多次明確，3nm將在下半年規(guī)模投產(chǎn)。

不過，臺積電的3nm依然延續(xù)的是FinFET(鰭式場效應)晶體管結構，而非三星那套難度更高的GAA晶體管。然而，臺積電明顯道行更深，知道當前制程節(jié)點命名混亂，誰的良率高顯然更能占得先機。

而接下來，臺積電似乎不打算糊弄了，甚至要繞過2nm，直奔1.4mm。

BK報道稱，臺積電3nm研發(fā)團隊將在6月份全面轉投1.4nm節(jié)點的開發(fā)工作。

對手三星在去年的代工會議上曾預期，2025年量產(chǎn)2nm，沒想到又一次被臺積電“背刺”了。

至于同樣雄心勃勃的Intel，則打算2024年下半年生產(chǎn)1.8nm工藝產(chǎn)品。一場關乎摩爾定律榮耀的制程“軍備競賽”，再度拉開序幕了。