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一種新型自毀芯片監(jiān)測(cè)和執(zhí)行電路的設(shè)計(jì)

2022年電子技術(shù)應(yīng)用第2期

胡長(zhǎng)征，馬偉，高清運(yùn)，胡偉波

南開(kāi)大學(xué) 電子信息與光學(xué)工程學(xué)院，天津300350

摘要： 針對(duì)當(dāng)前自毀技術(shù)中，自毀監(jiān)測(cè)方式單一且自毀執(zhí)行較長(zhǎng)和自毀不徹底、不穩(wěn)定導(dǎo)致自毀成功率較低的問(wèn)題，設(shè)計(jì)了一種同時(shí)具備自毀實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)和執(zhí)行的電路系統(tǒng)。該電路系統(tǒng)設(shè)計(jì)了封裝拆卸和上電時(shí)序兩種自毀監(jiān)測(cè)方式，使自毀監(jiān)測(cè)的方式更加多樣，提高結(jié)果的準(zhǔn)確性。同時(shí)利用MOS管作為開(kāi)關(guān)特性，來(lái)減少自毀執(zhí)行的時(shí)間。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該電路系統(tǒng)在3.3 V的供電電壓且鉭電容存儲(chǔ)電壓為20 V時(shí)，可以通過(guò)自毀監(jiān)測(cè)電路對(duì)工作芯片進(jìn)行實(shí)時(shí)的監(jiān)測(cè)，同時(shí)經(jīng)過(guò)測(cè)試表明，從監(jiān)測(cè)到自毀信號(hào)到自毀執(zhí)行開(kāi)始，需要時(shí)間為0.28 ms。

關(guān)鍵詞： 自毀芯片實(shí)時(shí)自毀監(jiān)測(cè) 自毀行

中圖分類號(hào)： TN409
文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼： A
DOI：10.16157/j.issn.0258-7998.211819
中文引用格式： 胡長(zhǎng)征，馬偉，高清運(yùn)，等. 一種新型自毀芯片監(jiān)測(cè)和執(zhí)行電路的設(shè)計(jì)[J].電子技術(shù)應(yīng)用，2022，48(2)：23-27.
英文引用格式： Hu Changzheng，Ma Wei，Gao Qingyun，et al. Design of a new type of self-destruct chip monitoring and execution circuit[J]. Application of Electronic Technique，2022，48(2)：23-27.

Design of a new type of self-destruct chip monitoring and execution circuit

Hu Changzheng，Ma Wei，Gao Qingyun，Hu Weibo

College of Electronic Information and Optical Engineering，Nankai University，Tianjin 300350，China

Abstract： In the current self-destruction technology, the self-destruction monitoring method is single, the self-destruction execution is long, and the self-destruction is incomplete and unstable, which leads to the low success rate of self-destruction. A real-time monitoring and execution circuit system with both self-destruction monitoring and execution is designed. The circuit system designed two self-destruct monitoring methods, packaging and disassembly and power-on timing, which made the self-destruct monitoring methods more diverse and the results more accurate. At the same time, MOS tube was used as the switching characteristic to reduce the time of self-destruct execution. The experimental results show that the circuit system can carry out real-time monitoring of the working chip through the self-destruct monitoring circuit when the supply voltage is 3.3 V and the storage voltage of tantalum capacitor is 20 V. Meanwhile, the test results show that the time from the monitoring to the self-destruct signal to the start of the self-destruct execution is 0.28 ms.

Key words : self-destruction chip；real-time self-destruction monitoring；self-destruction execution

0 引言

當(dāng)前自毀技術(shù)應(yīng)用廣泛，在無(wú)人機(jī)的偵察系統(tǒng)、機(jī)密數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)設(shè)備^[1]以及關(guān)鍵芯片、電子政務(wù)和金融等領(lǐng)域都有很好的應(yīng)用^[2]。2016年，Jin-Woo Han等人提出了一種自毀式鰭片觸發(fā)器驅(qū)動(dòng)的晶體管，在需要芯片自毀時(shí)，向觸發(fā)柵極施加觸發(fā)電壓，產(chǎn)生的靜電彎曲應(yīng)力將破壞鰭片的源-漏延伸區(qū)域，使晶體管斷開(kāi)，電路失去原本功能。2017年，解放軍海軍醫(yī)學(xué)研究所提出一種新的自觸發(fā)方法，這種方法是在監(jiān)測(cè)電路感知到設(shè)備外殼上的螺絲被擰下時(shí)^[3]，產(chǎn)生高電流信號(hào)使芯片燒毀。2018年長(zhǎng)春聞鼓通信公司通過(guò)控制端發(fā)出自毀命令^[4]時(shí)，芯片保護(hù)電路內(nèi)部產(chǎn)生高壓擊毀芯片，以此達(dá)到防止信息泄露的目的。

在大多數(shù)自毀設(shè)計(jì)和應(yīng)用中，自毀監(jiān)測(cè)的方式一直被忽視，導(dǎo)致自毀監(jiān)測(cè)方式單一，準(zhǔn)確靈敏性較低。同時(shí)在監(jiān)測(cè)到自毀狀態(tài)到產(chǎn)生自毀信號(hào)，開(kāi)始執(zhí)行自毀的整個(gè)過(guò)程時(shí)間較長(zhǎng)，且其自毀程度不夠徹底，有時(shí)只能停止電路的正常工作，不能真正地破壞芯片數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)模塊。

本設(shè)計(jì)針對(duì)自毀監(jiān)測(cè)方式和自毀信號(hào)產(chǎn)生速度的問(wèn)題，基于閾值判斷等算法^[5]，提出了一種新型自毀芯片監(jiān)測(cè)和執(zhí)行電路系統(tǒng)，可以通過(guò)封裝拆卸和上電時(shí)序^[6]，對(duì)芯片工作環(huán)境進(jìn)行監(jiān)測(cè)，同時(shí)利用閾值判斷等算法對(duì)監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)進(jìn)行分析和處理，產(chǎn)生自毀執(zhí)行信號(hào)，在較短的時(shí)間內(nèi)執(zhí)行自毀。

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作者信息：

胡長(zhǎng)征，馬偉，高清運(yùn)，胡偉波

(南開(kāi)大學(xué) 電子信息與光學(xué)工程學(xué)院，天津300350)

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