《電子技術(shù)應(yīng)用》
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貿(mào)澤電子即日起開(kāi)售Fujitsu Semiconductor Memory Solution產(chǎn)品

2021-12-15
來(lái)源:貿(mào)澤電子
關(guān)鍵詞: 貿(mào)澤電子 Fujitsu

2021年12月13日 – 專(zhuān)注于引入新品并提供海量庫(kù)存的電子元器件分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布即日起開(kāi)售Fujitsu Semiconductor Memory Solution的鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (FRAM) 和高密度電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (ReRAM) 產(chǎn)品。

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Fujitsu FRAM是新一代非易失性存儲(chǔ)器,與EEPROM相比,具有更高的讀/寫(xiě)耐久性、更快的寫(xiě)入速度和更低的功耗,可滿(mǎn)足工程師對(duì)這些特性的需求。貿(mào)澤分銷(xiāo)的Fujitsu FRAM產(chǎn)品采用串行接口(SPI、I2C)和并行接口,以及各種緊湊、高密度封裝類(lèi)型,提供4Kb至8Mb容量選項(xiàng)。Fujitsu自1999年開(kāi)始批量生產(chǎn)FRAM,在汽車(chē)、工業(yè)、醫(yī)療和消費(fèi)產(chǎn)品等諸多關(guān)鍵應(yīng)用中都有FRAM產(chǎn)品的身影。

Fujitsu ReRAM采用SPI接口,可在1.6V至3.6V的寬電源電壓范圍內(nèi)工作。該款器件兼容EEPROM,并且功耗非常低,讀取和寫(xiě)入狀態(tài)下的電流分別只有0.15mA和1.5mA,并且存儲(chǔ)密度可達(dá)8Mb,非常適合用于電池供電的小型可穿戴設(shè)備,例如助聽(tīng)器、智能手表和智能眼鏡。

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