在上月的ITF大會上，半導體行業(yè)大腦imec(比利時微電子研究中心)公布的藍圖顯示，2025年后晶體管進入埃米尺度(?，angstrom，1埃 = 0.1納米)，其中2025對應A14(14?=1.4納米)，2027年為A10(10?=1nm)、2029年為A7(7?=0.7納米)。
當時imec就表示，除了新晶體管結構、2D材料，還有很關鍵的一環(huán)就是High NA(高數值孔徑)EUV光刻機。其透露，0.55NA的下代EUV光刻機一號試做機(EXE:5000)會在2023年由ASML提供給imec，2026年量產。
不過，本月與媒體交流時，ASML似乎暗示這個進度要提前。第一臺高NA EUV光刻機2023年開放早期訪問，2024年到2025年開放給客戶進行研發(fā)并從2025年開始量產。
據悉，相較于當前0.33NA的EUV光刻機，0.55NA有了革命性進步，它能允許蝕刻更高分辨率的圖案。
分析師Alan Priestley稱，0.55NA光刻機一臺的價格會高達3億美元(約合19億)，是當前0.33NA的兩倍。
早在今年7月，Intel就表態(tài)致力于成為高NA光刻機的首個客戶，Intel營銷副總裁Maurits Tichelman重申了這一說法，并將高NA EUV光刻機視為一次重大技術突破。
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